ЧЕЛНОКОВ ВАЛЕНТИН ЕВГЕНЬЕВИЧ

  2 % т Р О П И С А Н И I 482837 изоьеитиния Союз Советских Социапистимеских Респубпик К АВТОРСКОМУ СВЙДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства № (22) Заявлено 12.06,67 (21) 1164548/26-25 с присоединением заявки №вЂ” (32) Приоритет— Опубликовано 30.08.75. Бюллетень № Дата опубликования описания 09.03.76. М. Кл. Н 01l 11/10 Государственный комитет Совета Министров С...

  Изобретение относится к области полупроводниковой технологии, в частности к области выращивания эпитаксиальных слоев карбида кремния, и может быть, использовано в высокотемпературной электронике, в том числе для создания высокотемпературных интегральных схем. Цель изобретения - упрощение процесса (отсутствие буферного слоя и использование стандартного оборудования для получения эп...

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к созданию карбидкремниевых р-п-структур, которые используют для создания высокотемпературных приборов: выпрямительных диодов, стабилитронов, полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом, и позволяет повысить выход годных структур. Выращивают жидкофазной эпитаксией карбидкремниевые р-п-структуры политипа 6Н из...