Мочалов А.И.

  Класс 80b, 20о4 80Ь, 10о4 № 98209 СССР! )!, (f @ф «! С вЂ” rl" l! ! ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ А. Я. Мочалов и Л. М. Розенфельд СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИЛИ1(АТНЫХ И ПЕНОСИЛИКАТНЫХ КАРБОНИЗИРОВАННЫХ ИЗДЕЛИЙ Заявлено 9 августа !о52 г. за !в 3204/1-17735 в Министерство пищевой про."!внп —.анностн CCC?> гз !г!н!(овано в «г!1оллстсне изобрстсн" й., гв 6 за...

  Класс 80а, Б! - ", / 80а, 49 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа М 25> Н. А. Шаповал, А. И. Мочалов, Б. В. Таборовский, |О. Н. Сыркин, Е. И. Приходько, Н. И. Басин, А. Б. Хуторян и А. П. Дьяконов ПЕРЕДВИЖНОЕ УСТРОЙСТВО, ДЛЯ ФОРМОВКИ БЛОКОВ И ПАНЕЛЕЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ИЗ СИЛИКАТНЫХ СМЕСЕЙ Заявлено 2 февраля 1961 г. за № 695915/29 в Ком...

  Использование: изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления термостабильных слабопроникающих контактов кремниевых интегральных микросхем. Сущность изобретения заключается в том, что на кремниевую подложку, маскированную диэлектриком со вскрытыми в нем контактными окнами к активным областям, наносятся пленка сплава, содержащего 20 - 50 ат.% Со и 80 -...

 Сущность изобретения: на диэлектрическую подложку последовательно нанесены адгезионный слой толщиной из нитрида титана и термочувствительный тонкопленочный элемент из металла с высоким ТКС. Термометр сопротивления обладает высокой термической стабильностью в процессе эксплуатации при повышенных температурах, а также хорошей линейностью выходной характеристики. 4 ил. Изобретение относится...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в способе создания структуры -кремний на изоляторе для СБИС, включающем формирование диэлектрического слоя, осаждение слоя поликристаллического кремния и металлического слоя на первой пластине кремния, соединение ее со вто...

 Использование: в электронной технике для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим р-n переходам и межсоединений. Сущность изобретения: на кремниевую подложку, в которой известными методами сформированы активные области и контактные окна в слое диэлектрика, маскирующем поверхность кремниевой подложки, наносят пленку трехкомпонентного сплава, первый компонент которо...