Шишко В.А.

 Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности и процента выхода годных схем за счет улучшения планаризации рельефа проводников. Способ включает следующие операции. На подложке формируют проводники. Наносят диэлектрическую пленку. Наносят пленку резиста. Над центральной частью поверхности проводников пле...

 Изобретение относится к производству интегральных схем с многоуровневыми межсоединениями. Цель изобретения - повышение надежности и выхода годных изделий. Способ включает формирование проводников нижнего уровня, формирование межуровневой изоляции путем нанесения первого диэлектрического слоя толщиной 0,6 - 0,8 толщины межуровневой изоляции, сглаживание рельефа магнетронным ВЧ-распылением...

 Использование: изобретение относится к оптоэлектронике. Сущность: на прозрачной подложке формируют затворные электроды, затворный диэлектрик и слой аморфного гидрогенизированного кремния. По рисунку структуры наносят контактный слой легированного кремния. По маске в виде островков фоторезиста формируют области контактов к слою аморфного гидрогенизированного кремния и электроды истока и ст...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в способе создания структуры -кремний на изоляторе для СБИС, включающем формирование диэлектрического слоя, осаждение слоя поликристаллического кремния и металлического слоя на первой пластине кремния, соединение ее со вто...

 Изобретение относится к области строительства и ремонта трубопроводов и может быть использовано при ремонте и реконструкции резервуаров, котлов и сосудов высокого давления. Способ ремонта металлических трубопроводов, имеющих дефектные области, заключается в наложении муфт. При сниженном давлении в трубопроводе осуществляют механическую очистку от изоляционного покрытия и ржавчины поверхно...