Воробьева Н.К.

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в способе создания структуры -кремний на изоляторе для СБИС, включающем формирование диэлектрического слоя, осаждение слоя поликристаллического кремния и металлического слоя на первой пластине кремния, соединение ее со вто...

 Изобретение относится к области управляющих элементов, в частности к рулевым приводам летательных аппаратов. Техническим результатом является повышение быстродействия нейтральных электромагнитов, обеспечение их работы без отскоков якоря и сохранение габаритов магнитной системы. Технический результат достигается тем, что на участке движения якоря, определяемом углами -п и п, воздействуют м...