ЧАВЧАНИДЗЕ В.В.

  Союз Советских Социалистических Республик (11г 492210!," ( (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22} Заявлено 29.08,64 (21)960512/18-24 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.02,78. Бюллетень М 7 - =-- -2 (51) М. Кл, Cj 06 Ст 9/00 Государственный комитет Совета MHHMGTpOB СССР по делам изобретений и аткрытнй (53) УДК 681.335 (088,8) (45} Дата опубликовани...

  ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ОПТОЭЛЕКТ- РОННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ, выполненньй в виде фоточувствительной структуры металл - диэлектрик - полупроводник - диэлектрик - металл, отличающийся тем, что, с целью получения видимого изображения без воспроизводящего источника света, на стороне оптического выхода слой диэлектрика выполнен из электролюминофора.ю^9^ 12^•'fL/У^//^Л ^/^^У/^Ь I'//^...

  ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ на основе многослойной структуры металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл,полупроводниковый слой которой выполнен из высокоомного материала с концентрацией свободных носителей не более 10'^ см'' отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия и коэффициента, усиления изображения, между слоями полупроводника и диэлектр...

  ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ на основе слоистой системы фотополупроводник - жидкий кристалл, расположенной между прозрачными электродами, отличающийся тем, что, с целью расширения класса применяемых полупроводников, слой полупроводника расположен между слоями прозрачного диэлектрика.'\i'LAIlcn00 о *^ *q00S S -ft 0- СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН „„SU„„580778 ГОСУДА...

  ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИ.Й ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ на основе слоистой структуры фототтолупроводникэлектрсоптическнй материал, расположенный между прозрачными электродами, о т л и ч а ю щ' и и с я тем, что, с целью увеличения быстродей-• ствия и расширения класса применяемых фотополупроводников, слой фотополупроводника расположен ме;вду слоями прозрачных диэлектриков.Q(О(ЛО5Oi ГО С...