Ладыгин Е.А.

 Применение: относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности и качества полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность: способ включает облучение испытуемых приборов пучком импульсного лазерного излучения, измерение электрических параметров испытуемых приборов, сравнение измеренных параметров с эталонными. Облучение проводят длиной волны в интервале 1,24...

 Использование: изобретение относится к физике твердого тела, в частности к оптической спектрофотометрии, и может быть использовано при отборе подложек для наращивания эпитаксиальных пленок феррит-гранатов, применяемых в производстве приборов оптоэлектроники, работающих в условиях воздействия ионизирующих излучений. Сущность изобретения: оптический способ контроля качества кристаллов со ст...

 Изобретение относится к магнитной микроэлектронике, в частности к методам обработки эпитаксиальных монокристаллических пленок ферритов-гранатов (ЭМПФГ), а также приборов на их основе, и может быть использовано для улучшения эксплуатационных параметров последних. Технический результат - снижение разброса пороговых полей переключения ячеек и повышение быстродействия магнитооптических управл...

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: интегральная транзисторная MOS структура содержит на полупроводниковой подложке первого типа проводимости диэлектрический слой, на котором расположены истоковые и стоковые области первого типа проводимости, разделенные подзатворной областью второго типа проводимости, перекрытой областью подзатворного диэлектрика с расположенным на нем...