ЗИНОВЬЕВ В.С.

  О П И C-"й-"- И- Й ИЗОБРЕТЕНИЯ Севаз Сееетсинк Сенананнстнчваинк рвесттубттни (13} 498866 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61} Дополнительное к авт. свид-ву (2} аявлено260774 (2 } 2049023/26-25 с присоедннениевт заявки РЙ (23} Приоритет (43} Опубликовано 050578. Бюллетень % 17 (И} М, Кл. Н 01 1 27/22 fssygapnsssssi ssans1 Вевета ттелеетрев Сеер ае,лелаа езеервтвввв е етлрытвл (53)...

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскню Социал нстнческню Республик (! 6) 51 L 770 1 (5!) М. Кл. (61) дополнительное к авт. свид-ву (22} Заявлено 2607.74 (21) 2047917/26-25 с присоедаанениеаа заявки Эй Н 01 l. 3 7/00 (23) Ириорнтет Гаардаратааввир ааюатат 6ааата Ваааатроа 666Р аа .деваю ааабратава6 а атармтаа (43) Опубликовано05.0578. Баоллетень лв 17...

  Союз Советских Социалисткческмх Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 11 687900 (6l ) Дополнительное к авт. свид-ву (51) M. Кл. (22) Заявлено 03.06,77 (2I-) 2492726/18-28 Я 01 В 15/02 с присоединением заявки K Государственный комитет СССР йо делам изобретений и открытий (23) Приоритет (53) УЙ К 53 1.7 17, . 1 1(088.8) Опубликовано 07.01.81. Бюллетень Ж...

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ , включающий формирование отверстий в керамической подложке обработкой электронным или лазерным лучом и заполнение отверстий проводящей пастой, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности процесса и повышения надежности электрических соединений микросхем, перед формированием отверстий в керамической подножке на ее поверхность нан...

  1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ, включающий последовательное нанесение на Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в радиотехнической и радиоэлектронной промышленности. Известен способ изготовления многослойных печатных плат, заключающийся в последовательном нанесении на керамическую положку методом трафаретной печати и обжига п...

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАТ С МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫМИ ОТВЕРСТИЯМИ , включающий вакуумную протяжку через отверстия проводящей тиксотропной 1..11Ш flATtHTii -r;,,.;i4:;rKS БИ5ЛИО КЛ I композиции, отличающийся тем, что, с целью уменьшения разброса величины переходных сопротивлений, в процессе вакуумной протяжки ограничивают высоту h вакуумного объема под платой причем величину h рассчитываю...