ВОЙТОВИЧ АЛЕКСАНДР ПАВЛОВИЧ

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сома 08IITCkNX Социалистический (ii) 502433 Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 18.07.74 (21) 2048052/26 25 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 05,02.76. Бюллетень № 5 Дата опубликования описания 12.04.76 (51) М. Кл.- Н 01$3/12 G 01J 4/00 Государственный комитет Совета Министров СССР п...

  Сооюз Соеатскнх Соцналнстнческнх Рвслублнк (1l 587375 ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТИЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву(51) М. Кл. Ci01 21/40// 1) H 01 3/00 (22) Заявлено 17.07.75 (21)2157962/18-25 с присоединением заявки №Государственный ноннтот Соввтв Ииннотров СССР оо долам изобротоний н открытий (23) Приоритет% (43) Опубликовано 05,01.78, Бюллетень №1 (53) УДК5...

  Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заввлено 130875 (21) 21б 3248/18-25 с присоединением заявки М Н 01 S 3/083 Государственкый комнтст СССР по делам нзобретеннй и открытий (23) Приоритет (5З) УДК 621, 375. 8 (088. 8) Опубликовано 250979, Бюллетень HP 35 Дата опубликования описания 25.09,79 (72) Авторы изобретения А.П.Войтович, И.П....

  Союз Советских Социапистическик Республик

  Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых интеградьных микросхем с помощью фотолитографии. Целью является повышение разрешающей способности и качества фотошаблона, упрощение способа. Способ изготовления шаблона заключается в том, чГо на пТЬ д/Шжку наносят слой фторида лития, проводят его с рование электрон н ымг1Учк6м7 причём режим сканирования и энергия э...