БАЯЗИТОВ Р.М.

  Союз Советских Социалистических Республик (ц504435 ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 21.02,74 (21) 1998977/26-25 (5t)A%. Кл. Н 01 g 21/265 с присоединением заявки 1те тооударственный комитет СССР (23) Прморитет по делан нзобретеннй н открытий Опубликовано 27.12.82. Бюллетень М 42 Дата опубликования описания 2...

  Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем с применением техники ионного легирования. Цель изобретения - повышение эффективности отжига за счет более полного устранения дефектов и активации имплантированной примеси. Полированные пластины кремния имплантируют ионами, затем помещают в криостатную систему, позволяющую обеспечить к...