Старшинов И.П.

 Использование: относится к области изготовления оптоэлектронных приборов, в частности кремниевых фотопреобразователей с p-n-переходом. Сущность: способ включает формирование неоднородно залегающего перехода в полупроводниковой пластине методом двойной диффузии. На первом этапе осуществляют диффузию по всей пластине, а на втором - локальную диффузию в подконтактные области через маску из п...

 Применение: относится к области изготовления оптоэлектронных приборов, а именно кремниевых фотопреобразователей. Сущность: в полупроводниковых пластинах диффузией создают p-n-переход, затем на поверхности пластины формируют пленку примесно-силикатного стекла с рисунком, соответствующим контактной сетке, затем наносят антиотражающее покрытие из окислов алюминия или олова, или церия, или ти...

 Изобретение относится к изготовлению оптоэлектронных приборов, а именно кремниевых фотопреобразователей (ФП). Техническим результатом изобретения является снижение трудоемкости изготовления и повышение эффективности ФП. Сущность: после диффузионного легирования поверхности кремния на фоточувствительных участках поверхности перед нанесением контактов создают пленку пористого кремния, котор...