Пугачевич В.П.
Изобретатель Пугачевич В.П. является автором следующих патентов:

Способ изготовления контактов интегральных микросхем на кремнии
Использование: изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления термостабильных слабопроникающих контактов кремниевых интегральных микросхем. Сущность изобретения заключается в том, что на кремниевую подложку, маскированную диэлектриком со вскрытыми в нем контактными окнами к активным областям, наносятся пленка сплава, содержащего 20 - 50 ат.% Со и 80 -...
2034364
Термометр сопротивления
Сущность изобретения: на диэлектрическую подложку последовательно нанесены адгезионный слой толщиной из нитрида титана и термочувствительный тонкопленочный элемент из металла с высоким ТКС. Термометр сопротивления обладает высокой термической стабильностью в процессе эксплуатации при повышенных температурах, а также хорошей линейностью выходной характеристики. 4 ил. Изобретение относится...
2069324
Способ изготовления полупроводникового прибора
Использование: в электронной технике для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим р-n переходам и межсоединений. Сущность изобретения: на кремниевую подложку, в которой известными методами сформированы активные области и контактные окна в слое диэлектрика, маскирующем поверхность кремниевой подложки, наносят пленку трехкомпонентного сплава, первый компонент которо...
2152108