Евдокимов В.Л.

 Изобретение относится к нанесению слоев при пониженном давлении и может быть использовано в микроэлектронике при осаждении полупроводниковых, диэлектрических и проводящих слоев. Уменьшает дефектность и разброс толщины осаждаемых слоев. Устройство включает горизонтальный кварцевый реактор. Реактор выполнен в виде трубы с отверстиями. Отверстия равномерно расположены на ее стенках и выполне...

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления изоляции элементов сверхбольших интегральных схем. Цель - упрощение технологии изготовления изоляции элементов за счет снижения требований к профилю канавок и повышение выхода годных интегральных схем путем устранения пустот в канавках. Согласно изобретению, заполнение канавок двуокисью кремния производят пиро...

 Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении МОП-транзисторов сверхбольших интегральных схем. Цель - увеличение плотности компоновки МОП-транзисторов и уменьшение количества фотолитографических операций за счет формирования электродов к области истока, стока и затворной области анизотропным травлением. В кремниевой подложке формиру...

 Использование: в электронной технике для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим р-n переходам и межсоединений. Сущность изобретения: на кремниевую подложку, в которой известными методами сформированы активные области и контактные окна в слое диэлектрика, маскирующем поверхность кремниевой подложки, наносят пленку трехкомпонентного сплава, первый компонент которо...

 Использование: микроэлектроника, БиКМОП приборы, у которых на одном кристалле формируются биполярные и полевые транзисторы, существенно расширяющие функциональные возможности и эффективность цифровых и аналоговых схем. Техническим результатом изобретения является сокращение числа слоев поликристаллического кремния, что делает более рентабельным промышленное производство структур биполярны...