Гузев А.А.

 Способ получения структур диэлектрик - полупроводник на основе антимонида индия, включающий очистку поверхности полупроводниковой подложки, формирование потока молекул окиси кремния в атмосфере кислорода при давлении от 1,15 до 4,0 Па, зажигание ВЧ-разряда с плотностью мощности от 0,3 до 1,0 Вт/см2 на электроде с подложкой, охлаждение на подложке пленки двуокиси кремния, отличающийся тем,...

 Изобретение относится к области микрофотоэлектроники, конкретно к полупроводниковым фотоприемникам. Целью изобретения является обеспечение возможности сборки фотоприемной матрицы большого формата. Матричный фотоприемник (МДП) состоит из кристалла матрицы фоточувствительных элементов (ФЧЭ), состыкованного металлическими столбиками с кремниевой схемой предварительной обработки сигнала. Схем...

 Изобретение относится к медицинской технике и может быть использовано для диагностики, исследования и контроля в области медицины и в смежных областях, таких как косметология, физиология и др. Матричный тепловизор содержит фоточувствительный узел, включающий объектив, криостат, входное окно криостата, фотоприемную матрицу, кремниевый мультиплексор, систему охлаждения, холодный экран, элек...