Косарев А.А.

 Использование: технология химической обработки и пассивации поверхности полупроводников. Сущность изобретения: образец подвергают химическому травлению, формируют пассивирующую пленку в окислительном растворе и промывают в деионизованной воде. Окислительный раствор готовят при следующем соотношении компонентов, об. % : пероксид водорода (30%-ный водный раствор) 10 - 90, азотная кислота (7...

  Использование: получение ядерных фильтров. Сущность изобретения: заключается в получении ядерных фильтров путем облучения пленки из пластического материала потоком осколков деления делящегося вещества, травлений облученной пленки, промывки протравленной пленки и ее сушки, проводимых в режиме перемещения пленки с установленными скоростями. Одновременно с промывкой облученную пленку подвер...

 Сущность изобретения: мишень, выполненную из обогащенного азота 34S, облучают потоком альфа-частиц при плотности потока больше или равно 1017 альфа-частиц м-2с-1 и концентрации 34S больше или равно 1028 атомов в 1 м3. Положительным эффектом изобретения является получение постоянного потока нейтрино от источника нейтрино на основе изотопа 37Ar с постоянной объемной активностью, большей ил...

 Изобретение относится к области металлургии. Для повышения долговечности калибров, улучшения качества поверхности заготовок и повышения производительности стана выпуклость дна ручьев ящичного калибра выполнена по двухрадиусной кривой типа овальной, сопрягающейся кривыми большей кривизны с закруглениями в стыке боковых стенок с дном при центральном выполнении выпуклости дна ручьев калибра...

 Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано на блюминге при получении слябов из уширенных книзу слитков кипящей или полуспокойной стали при поочередной задаче слитка в валки головной и донной частью. С целью повышения производительности и снижения расходных коэффициентов при прокатке слябов первоначальную прокатку слитка по широкой грани осуществляют со стороны б...

 Использование: технология химической обработки и пассивации поверхности полупроводников для быстрого получения толстых (до 3000 ) и не требующих дополнительной защиты пассивирующих покрытий на поверхности CdxHg1-xTe при изготовлении ИК фотоприемников. Сущность изобретения: сульфидирующий раствор для пассивирующей пленки готовят при следующем соотношении компонентов, вес. %: сера 0,3 - 6,...

 Изобретение относится к металлургии и может быть использовано при прокатке в заготовочных клетях дуо преимущественно в предчистовом-чистовом калибрах прямоугольной или фасонной заготовки при возвратно-поступательном движении и кантовании на 90o раската между калибрами. Задача изобретения - облегчение условий труда и повышение производительности. При прокатке заднего конца в первом калибре...