PatentDB.ru — поиск по патентным документам

СЫСОЕВ ЛЕОНИД АНДРЕЕВИЧ

Изобретатель СЫСОЕВ ЛЕОНИД АНДРЕЕВИЧ является автором следующих патентов:

Устройство для ультразвуковой дефектоскопии

Устройство для ультразвуковой дефектоскопии

  (II) 515989 ОПИСАН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ ETE JIIE CTB Союз СоветскихСоциалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 14.08.74 (21) 2052076/28 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет Опубликовано 30.05.76, Бюллетень ¹ 20 Дата опубликования описания 22.06.76 (51) M. Кл б 01N 29/04 Государственный комитет Совета 11ииистров СССР (53) УДК 620.179.16 (088....

515989

Способ выращивания монокристаллов халькогенидов цинка и кадмия

Способ выращивания монокристаллов халькогенидов цинка и кадмия

  ПИн'&И. . ' / ' ; ' • ; • -'.''• ''•• .'•:•'• " ' ':•.'''• ' " ' СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 (21) 2471194/26 (22) 11.0477 (46) 15.1293 Беп. Мя 45-46 (72) Сысоев ПА; Вербицкий О.П„носачев Б.Г„CufNH В.И. „„05„„681626 А1 (51) 5 СЗОВ11 02 СЗОВ29 48 (54)...

681626

Способ выращивания кристаллов

Способ выращивания кристаллов

  Изобретение относится к выращиванию кристаллов из жидкой фазы, например из раствора, и может быть использовано для получения пьезоэлектрических, пироэлектрических, электрооптических и других кристаллов. Обеспечивает улучшение качества кристаллов за счет создания статистически равномерных условий роста и исключения запаразичивания раствора. Способ включает совместное однонаправленн...

1673650