Воротынцев В.М.
Изобретатель Воротынцев В.М. является автором следующих патентов:
Устройство для глубокой очистки газов
Изобретение относится к очистке веществ путем диффузии через полупроницаемые мембраны и позволяет повысить эффективность очистки газов от примесей за счет обеспечения противотока газовых смесей в обеих полостях. Повышение эффективности очистки достигается за счет того, что движение газовой смеси осуществляется в режиме противотока в элементах, имеющих форму круга. При этом в полости высок...
1503123Способ получения гидрида германия
Изобретение относится к области получения высокочистых веществ. Цель изобретения повышение производительности и проведение процесса в течение длительного времени в условиях его безопасности. Поставленная цель достигается тем, что электролизу подвергается водно-щелочной раствор, содержащий 25-35 г/л GeO2 электролиз ведут при 75 85°С с перекрестным смещением потоков электролита, осуществляя...
1732697Способ получения трихлорсилана
Изобретение относится к способам получения высокочистого трихлорсилана, применяемого в качестве источника кремния в технологиях микроэлектроники. Сущность изобретения: трихлорсилан получают взаимодействием тетрахлорида кремния с техническим кремнием и хлористым водородом при 380 - 450°С и разделением смеси хлорсиланов на диффузионных мембранах. Получают трихлорсилан с содержанием SiCl4610...
2038297Способ получения фильтрующего материала из двуокиси кремния для очистки газов и жидкостей
Изобретение относится к способам получения фильтров из двуокиси кремния для очистки газов и жидкостей от взвешенных частиц субмикронных размеров, применяемых при получении высокочистых материалов для полупроводниковой техники, волоконных световодов, и позволяет повысить производительность фильтров за счет увеличения их пористости, и эффективность очистки за счет сокращения размеров пор. В...
2038841Способ получения диалкилмонотеллуридов
Использование: в области элементоорганической химии, разработка электрохимического способа получения диалкилмонотеллуридов, ф лы RTeR, где R - алкильный радикал, используемых в микроэлектронике при изготовлении полупроводников типа A2B6 и твердых растворов на их основе. Сущность изобретения: диалкилмонотеллуриды получают растворением теллурового катода в щелочном гетерофазном электролите...
2041209Способ получения гидрида германия
Изобретение относится к области получения летучих веществ и касается способа получения гидрида германия из германийсодержащих руд электрохимическим способом. Сущность изобретения заключается в том, что электролит готовят растворением в водно-щелочном растворе бедной германийсодержащей руды с добавлением перекиси водорода и электролиз ведут при плотности тока 2 - 4 А/см2 и температуре элек...
2071993Способ получения силанов
Использование: в производстве силанов, применяющихся в качестве исходных продуктов для получения пленок кремния и диоксида кремния в электронной технике. Способ заключается в ректификационном отделении тетрахлорида кремния из реакционной смеси, испарении оставшейся после отгонки тетрахлорида кремния жидкой смеси, нагревании полученной паровой смеси до 60-160°С и направлении ее в реактор д...
2152902