ИМАМОВ РАФИК МАМЕД ОГЛЫ

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 15.05.74. (21) 2023692/25 Совоз Советских Социалистических Республик (») 5224 5З 1 - r, (" . -,!,, i (51) М. Кл.е ВОЖт320 с присоединением заявки № (23) Приоритет Государственный ноинтет Совета Министров СССР по делам иэооретений и открытий (43) Опубликовано 25,07.76. Бюлл...

  Г О П И С А Н И Е и в4зввв ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Реслу6лик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 27.01.75 (21) № 2099666/25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25,01,77.Бюллетень № 3 (45) Дата опубликования описания25.05.77 (51) М. Кл.т С 01 Я 23/22 Государственный комитет Совета Иинистров ССС...

  (ц 82804I ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 29.06.79 (21) 2786319/18-25 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 07.05.81. Бюллетень № 17 (45) Дата опубликования описания 07.05.81 (51) М. К . б 01N 23/207 Гесударствеииый комитет (53) УДК 548.734 (088.8)...

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКИХ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ МОНОКРИСТАЛЛОВ, заклю .чающийся в том, чтб исследуемый кристалл облучают коллимированным пучком рентгеновского .излучения, выводят в положение, соответствующее дифракционному отражению в условиях полного внешнего отражения, путем поворота исследуемого кристалла и измеряют интенсивность дифрагированного изл...

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТРУКТ НЫХ, ХАРАКТЕРИСТИК МОНОКРИСТАЛЛОВ, заключающийся в облучении монокрис талла коллимированным пучком монохроматического рентгеновского излучения , ориентации монокристалла в положение, соответствующее дифракционному отражению в геометрии Лауэ, и исследовании углового распределения интенсивности вторично-эмиссионного излучения путем вращения кристалла вокру...

  Изобретение относится к Области исследования реальной структуры монокристаллов методом рентгеновской типографии . Способ позволяет выявлять -дефекты структуры в тонких приповерхностных слоях порядка долей микрона. Исследуемый кристалл выводят в положение дифракционного отражения в геометрии Лауэ для плоскостей, отклоненных от нормали к поверхности на угол 3-5°. Далее пово...

  Изобретение позволяет получать с высокой чувствительностью информацию о структуре тонких приповерхностных слоев до толщины 1 нм на двухкристальном спектрометре. Угловое распределение интенсивности при различных углах отворота .исследуемого кристалла от точного брэгговского угла определяют с помощью детектора со щелью, линейно перемещающегося в плоскости, перпендикулярной плоскост...