ВИШНЕВА ТАТЬЯНА ИВАНОВНА
Изобретатель ВИШНЕВА ТАТЬЯНА ИВАНОВНА является автором следующих патентов:
![Способ измерения глубины слоев монокристаллического полупроводника Способ измерения глубины слоев монокристаллического полупроводника](https://img.patentdb.ru/i/200x200/c8454aca1e5cbe1d7381408caa938f56.jpg)
Способ измерения глубины слоев монокристаллического полупроводника
Союз Советских Со@иалис,тицесяих Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 20.12.74. (21) 2085871/25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.07.76. Бюллетень № 27 (45) Дата опубликования описания 30.11.76 (51) М. Кл. С-01 Н 27/00 Государственный комитет Совета Министров СССР па делам изооретений и отнрытий (53) УДК 621.382 (088.8)...
522462![Устройство для восстановления информации Устройство для восстановления информации](https://img.patentdb.ru/i/200x200/be8fbaaaca25792008ab3b4563a96324.jpg)
Устройство для восстановления информации
111) 54886l ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Со)оз Советских Социалистических Реслублик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 07.10.74 (21) 2069818/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 28.02.77. Бюллетень ¹ 8 Дата опубликования описания 30.03.77 (51) М Кл2G 06Г 11/00 Н 05К 10/00 Государственный комитет Совете Министров СССР по д...
548861