СОСКИН МАРАТ САМУИЛОВИЧ
Изобретатель СОСКИН МАРАТ САМУИЛОВИЧ является автором следующих патентов:
Способ записи голографической решетки
О П И С А Н И Е (111526208 ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнителы.ос к авт. свид-ву (22) Заявлено 05,08.74 (21) 2049654, 18-25 (51) М. Кл.а б ОЗН 1,04 с присоединением заявки»е Гасударственный KCMkTBT Со",åòà Министров СССР (23) Приоритет ло делан изобретений (43) Оп,блпковано 05.11.78. Боллетень ¹ 41 (53) УДК 772.99...
526208Селектор излучения
Оп ИСАНИЕ ы7О ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. синд-ву— (51) М, Кл, ll 01 Ь 3/098 (22) Заявлено18.07.75 (21) > ) 58102/18-2. с присоединением заявки № 2158255/25 (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.03.78. Бюллетень №О (45) Дата опубликования описания 15.02.78 Я 02 В 5/32 Гасударственный комитет Сове...
597037Селектор излучения
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОИУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик < о649074 (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 301276 (21) 2436304/18-25 с присоединением заявки РЙ (23) Приоритет Опубликовано25.0279. Бюллетень № 7 Дата опубликования описания 280279 (51) М. Кл. Н 01 S 3/098 G 02 В 5/32 Государственный комитет СССР по делам изобретен...
649074Материал для записи голограмм
Союз Советскик Социалистических Республик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 788070 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 14.1178 (21) 2684965/18-25 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет Опубликовано 15,1280. Бюллетень ¹ 46 Дата опубликования описания 15.12.80 (53)M. Кл.з G 03 Н 1/02 Государственный комитет СССР по делам изобретений н открытий (5...
788070Способ преобразования когерентных световых пучков
Изобретение относится к квантовой электронике и голографии. Целью изобретения является повышение эффективности энергообмена пучков и расширение класса используемых сред. Когерентные световые пучки свЬдят под неравными друг другу углами падения в нелинейной среде с локальным откликом . Время релаксации среды одного порядка или больше длительности импульсов преобразуемого излучения...
1325398Способ определения энергетического положения уровней дефектных и примесных центров в полупроводниковых и диэлектрических материалах
Изобретение относится к области исследования материалов оптическими методами и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых и диэлектрических материалов, используемых в электронной технике. Цель изобретения - расширение области применения способа на полупроводниковые и диэлектрические материалы с низким квантовым выходом люминесценции и с большим удельным сопро...
1330676