ШУВАЛОВ ЛЕВ АЛЕКСАНДРОВИЧ

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических @отблик (11) 527751 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 28 02.75. (21) 2109245/26 — 21 {5l) М. Кл,е Н 01 6 7/06 с присоединением заявки №вЂ” Государственный комитет Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (23) Приоритет— (43) Опубликовано 05.09.76. Бюллетень №...

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ < «54587 Союз Советских Социалистическим Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свпд-ву— (22) Заявлено 11.06.75 (21) 2146100/25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 05.02.77. Бюллетень М 5 (45) Дата опубликования описания 10.03.77 (51) М. К ч С«01 1 5 26 Государственный комитет Совета 1«1икнстров С...

  Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 100681 (21) 3299388/18-10 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет— РФ М Кд з G .02 В 5/18 Государственный комитет СССР ио делам изобретений и открытий Р4 % 535.853, .31(088.8) Опубликовано 3011 82. Бюллетень ¹ 44 Дата опубликования описания 30,11.82 (Т.И.Иванова, В.М.Рудяк и Л...

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ, основанный на нанесении на плоскопараллельную пластину сегнетоэлектрического кристалла полос проводящего материала и последующем разделении пластины на подобные части, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготовь ления элементов, нанесение на плоскопаралллельную пластину сегнетоэлектрического кристалла полос...

  СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РЕГУЛЯРНОЙ СТРУКТУРЫ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДОМЕНОВ, включающий воздействие на пластину полярного среза сегнетоэлектрического монокристалла знакопеременными импульсами локально неоднородного по величине в плоскости полярных граней пластины электрического поля, коллинеарного направлению полярной оси монокристалла, отличающийся тем, что, с целью повьшения точности...

  Использование: физико-химический анализ твердых тел„ Сущность изобретения: измеряют зависимость тангенса угла низкочастотных диэлектрических потерь от амплитуды измерительного электрического поля, находят на кривой пороговое электрическое поле и определяют искомую величину по значению порогового.поля и термодинамическим параметрам сегНетоэлектрика 2 ил0 (5()5 г, 01 N 27/24 М...