ДВУРЕЧЕНСКИЙ А.В.

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ, включающий легирование полупроводника при внедрении ионов легирующей примеси до больших доз (более 4-10*'* см'*) и при повьппенных плотностях тока (более 4 мкА/см'^ ), отличающийся тем, что, с целью снижения сопротивления контактов, перед внедрением на полупроводник наносят пленку металла, дающего тот же тип проводимости в полупроводнике, ч...

  1. СПОСОБ ОТЖИГА ДЕФЕКТОВ В ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЯХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ с помощью светового импульса *1ощностью 10Т-10* Вт/см' и длительностью импульса 3 мс'- "10 не, о т - личающИйся тем, что, с целью исключения эрозии планарной поверхности пластины, возможности проведения отжига в многослойных структурах и упрощения технологии, световой импульс направляют на поверхность полупроводник...

  Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано в технологии создания приборов на изолирующих подложках. Целью изобретения является увеличение плотности размещения полупроводниковых приборов и процента выхода годных изделий на кремниевой пластине. Поставленная цель достигается за счет снижения механических напряжений и деформаций в структуре з...