ВЛАСЕНКО ЛЕОНИД СЕРГЕЕВИЧ

  528522 та их составляет 400 — -500 КГц. С помощью такого магнитометра практически невозможно измерять земнос магнитное поле и магнитные поля превосходящие его по величине. Кроме того, оптп (еская нака- ка в этом магНIITОМЕTPC ОС ЩССТВГ! ЯЕTС5! СВСTOМ C (. IИ!10!! волны 0,3889 мкм, при этом степень оптиче.ской ориентации метастаби II»Hhlx атомов гсЛИЯ ГОР ЯЗДО IPHbllIP, ЧСМ В...

  ОП ИСАНИЕ Э ) (11) 532831 Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04 07.75 (21) 215237 3/25 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано25.10.76,Бюллетень № 39 (5!) М, Кл. & 01 R 33/ОО Гасударственный комитет Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий (53) УДК550.834(088.8) (4б) Дата опубликования опи...

  Мез Советских Сециаяистичесяик втасяубяии (11) 9972 (6l) Дополнительное к авт. свнд-ву— (22) Заявлено 04.07.75 (21) „2151130/25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (5t) M. Ka 601 В 33/00 йеудврвтвюай нвинтет 6вввтв Мнннетрвв ИСР вв делам нзебретеннй н DTKpblTNa (43} Опубликовано 25.08.77, Бюллетень № 31 (53} УДК 550.834 (088.8) (45) Дата опубликования описания 09.12....

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЦЕНТРОВ, НАХОДЯЩИХСЯ В KPHCTAJ - . ЛЕ В ВОЗБУЖДЕННОМ ТРИПЛЕТНОМ СОСТОЯНИИ , с использованием электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), отличающийся тем, что с целью расширения класса исследуемых центров, кристалл, размещенный в магнитном поле напряженностью Н-, равной величине расщепления уровней возбужденного триплетного состояния центров Н2 в...

  СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ СИГНАЛОВ ЯДЕРНОГО МАГНИТНОГО РЕЗОНАНСА В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ путем освещения образца, помещенного в магнитное поле, о тличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и получения неискаженной формы линии ЯМР редких ядер, в образце создают заданную концентрацию дефектов со спиновой поляризацией злектронов, осуществляют освещение образца светом с энергией кван...

  Изобретение относится к области физики твердого тела, физики . полупроводников и может быть использовано для получения информации о микроструктуре примесных и структур-, ных дефектов в кристаллах. Цель изобретения - расширение объема информации о примесных центрах и дефектах в кристалле. Цель достигается тем, что на кристалл, помещенный в магнитное поле, воздействуют светом, осущ...

  (1 2 ЯХ (11) (5Ц 5 С01КЗЗ 035 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) 1 (21) 4813495/21 (22) 16.04.90 . (46) 30.12.93 Бал. Na 47-48 (71) Физико-технический институт имАФ.Иоффе (72) Блинов F 8Ä Власенко йС.. (73) Физико-технический институт имАФ.Иоффе (54) ДАТЧИК МАГНЙТНОГО ПОЛЯ (57) Изобретение от...