ДЕХТЯР ЮРИЙ ДАВИДОВИЧ
Изобретатель ДЕХТЯР ЮРИЙ ДАВИДОВИЧ является автором следующих патентов:
![Устройство для фрезерования пазов Устройство для фрезерования пазов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/c1cee0490edd6454a0a37dd9ff2419af.jpg)
Устройство для фрезерования пазов
I ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ и АВТОРСКО,ЫУ СВИДБТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (») 5290 17 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 17.05.74 (21) 2024244/08 с присоединением заявки № (23) Приоритет— (43) Опубликовано25,09.76.Бюллетень № 35 (45) Дата опубликования описания 01.12.76 (51) М. Кл."В23С 3/28 Государотоенный комитат паата Министроа СССР по...
529017![Способ записи и воспроизведения информации (его варианты) Способ записи и воспроизведения информации (его варианты)](https://img.patentdb.ru/i/200x200/4e468415ba998b2b127a99a84bfc28fe.jpg)
Способ записи и воспроизведения информации (его варианты)
Изобретение относится к области накопления информации. Цель изобретения - увеличение объема записываемой информации путем размещения информационных элементов на нескольких слоях по глубине носителя . Последовательное облучение информационного носителя электронным пучком с энергиями для заполнения точечных дефектов электронами с последующим нагревом носителя до температур возникно...
1278974![Способ определения адгезионной способности покрытия к неорганической подложке Способ определения адгезионной способности покрытия к неорганической подложке](https://img.patentdb.ru/i/200x200/ece0f7edc5fe3627aa3c8d1970d06ccc.jpg)
Способ определения адгезионной способности покрытия к неорганической подложке
С01ОЭ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИ Х РЕСПУБЛИК ((9l + (((l С 11 4 G 01 N 21/17, 19/04 ф ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ, ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЭОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ К А BTOPCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4125874/31-25 (22) 01.10.86 (46) 23.04.88. Бюл, 11 - 15 (71) Рижский политехнический институт им.А.Я.Пельше (72) P ß. Акмене, А.Я.Балодис, А.Б.Вайнштейн9 Ю.Д.Дехтяр, М.М.Калн...
1390542![Способ определения качества полупроводникового кристалла Способ определения качества полупроводникового кристалла](https://img.patentdb.ru/i/200x200/e32638267760dca00c8bcca94a9c7d98.jpg)
Способ определения качества полупроводникового кристалла
Изобретение относится к технологии, производства полупроводниковых приборов и может быть использовано для контроля концентрации дефектов, в частности вакансий. Цель изобретения - обеспечение возможности определения концентрации вакансий. Кристалл нагревают с постоянной скоростью при одновременном облучении ультрафиолетовым светом с энергией фотона , равной фотоэлектрической работ...
1728901![Способ определения концентрации примеси в кремнии Способ определения концентрации примеси в кремнии](https://img.patentdb.ru/i/200x200/f71ee2eecd34c702b1a21800f9b7554c.jpg)
Способ определения концентрации примеси в кремнии
Сущность изобретения: нагревают образец до 300°С с одновременным облучением ультрафиолетовым излучением с энергией фотонов Е. Энергия фотонов больше фотоэлектрической работы выхода электрона и меньше энергии связи кремний-водород . В ходе нагрева определяют ток экзоэлектронной эмиссии. Охлаждают образец до исходной температуры и облучают ультрафиолетовым излучением с энер...
1749953![Способ определения момента окончания процесса ионного травления пленок Способ определения момента окончания процесса ионного травления пленок](https://img.patentdb.ru/i/200x200/8184e07caed889efa56983e25fd31d8e.jpg)
Способ определения момента окончания процесса ионного травления пленок
Использование: в технологии полупроводниковых приборов, в частности в способах контроля процессов ионного травления пленок. Сущность изобретения: облучают пленку ультрафиолетовым излучением. Регистрируют зависимость изменения фотото- .ка от времени травления, по виду которой определяют момент окончания процесса. 2 ил. -. -.. „„Ы2„„1806419 А3 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ...
1806419