ЛУПАЧЕВА А.Н.

Изобретатель ЛУПАЧЕВА А.Н. является автором следующих патентов:

Твердый источник для эпитаксиального наращивания полупроводниковых монокристаллов

I ! О П И С А Н ЙЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 1.!529697 аи163 Соеетекик Социалистические Республик :т . + Ът, (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 18.10.74 (21) 2069935/26-25 (51) М. Кл,-" Н 011 21/20 с присоединением заявки М Государстееииый копите. Совета Мииистроз СССР по делам иасбретеии!! и открытия (23) Приоритет (43) Оп бликовано 30.08.78. Б!Оллсте ib г"е 32 (45) Дата...

529697

Способ эпитаксиального выращивания

605357