ЧЕРЕПОВ Е.И.

  МАТРИЦА ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащая полупроводниковый кристалл и системы горизонтальных пересекающихся электродов, разделенных между собой и кристаллом слоями диэлектрика, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, нижний проводя1дий электрод в области перерытия с верхним электродом имеет окно, причем один из электродов является общим для вс...

  ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий полупроводниковую подложку п-типа, на которой расположен слой диэлектрика, и подвижную проводящую пластину, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей элемента, он содержит области полупроводника р-типа, размещенные под слоем диэлектрика в полупроводниковой подложке п-типа, и металлические электроды, расположенные на слое диэле...

  COlO3 СОВЕТС СОЦИАЛИСТИЧЕСКИМ= РЕСПУБЛИН (19) ЗС51) . H 01 L 31/ОО ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21 ) 2383854/18-25 (22 ) 12.07.76 (46) 29.02.84. Бюл. Р 8 (72) Х.И. Кляус, А.В. Ржанов и Е.И. Черепов (71) Институт физики полупроводников СО AH СССР (53) 621 382(088.8) (56) 1. Носов Ю.Р ..и др. П...

  УСТРОЙСТВО ВРЕМЕННОЙ ЗАДЕРЖКИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СИГНАЛА, содержащее полупроводниковую подложку с расположенными на ней слоем диэлектрика и проводящим электродом, перекрывающими области истока и стока, выполненные в полупроводниковой подложке,о тличающееся тем, что, с целью расширения временного диапазона функционирования, в подложке мeждv истоком и стоком по всей ширине проводящего э...

  МАТРИЦА ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ по авт.св. № 533090, от л ичающаяся тем, что, с целью реализации функции АЗУ, на полупровод" никовой подложке размещен слой полу- П1рЬвддника; противоположного типа проводимости, а слой диэлектрика под одним из электродов в каждой ячейке содержит ловушки захвата метастабильного заряда. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК 09) (11) ОП...

  ИНТЕГРАЛЬНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее полупроводниковую подложку, на поверхности которой расположены первый диэлектрический слой с первыми мета)тлическими электродами и второй поляриэующийся диэлектрический слой,о т л и ч а ющ е е с я тем, что,с целью упрощения устройства, оно содержит вторые металлические электроды, расположенные на поверхностях диэлектрических сло.;в...

  ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий полупроводниковую подложку р -типа проводимости и размещенный на подложке слой полупроводника П -типа проводимости, в лсотором размещена запоминающая среда с рас- i положенными в ней ft *-областями стока и истока,'о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения надежное* ти элемента, запоминающая среда выполнена в виде области полупро...

  СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО РЕЛЬЕФА В ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ в полупроводниковой подложке под передающим электродом, основанный на приложении к передающему электроду обедняющего напряжения и формирований в полупроводниковой подложке электрического поля, ускоряющего носители заряда в направле1ши переноса, о т л и ч а ющ и и с я тем, что, с целью увеличения бйстродействия,...

  СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ , НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, основанный на воздействии на входной ТЕНИЯ i Hg-irsffnit-r..-, « VitvlHtS - - . -..,::;- -Ь4 диод и входной затвор сигнала ввода, а на затвор накопления-сигнал хранения , и воздействии на затвор переносов сигнала разрешения записи, о тличающийся тем, что, с целью повьшения надежности способа записи за счет линеаризации за...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (5И5 G 01 J 1/44 ГОСУДАР СТВ Е ННЫ И KOMklT ET ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ и ОТКРЬ ТИЯМ ПРИ! К ".Т СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ К АВТОРСКМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (2 )) 4441788/25 (22j 17,Î6.88 (461 30.10,91, Бк;л. ¹ 40 (71, Институт физики полупроводникоs СО АН СССР (72) А,N.KðèмскиР и ; =,И.Черепов (53) 621,383(п88.8) (56 Авторское свидетельство СССР...