ЧЕРЕПОВ Е.И.
Изобретатель ЧЕРЕПОВ Е.И. является автором следующих патентов:

Матрица приборов с зарядовой связью
МАТРИЦА ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащая полупроводниковый кристалл и системы горизонтальных пересекающихся электродов, разделенных между собой и кристаллом слоями диэлектрика, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, нижний проводя1дий электрод в области перерытия с верхним электродом имеет окно, причем один из электродов является общим для вс...
533090
Элемент памяти
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий полупроводниковую подложку п-типа, на которой расположен слой диэлектрика, и подвижную проводящую пластину, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей элемента, он содержит области полупроводника р-типа, размещенные под слоем диэлектрика в полупроводниковой подложке п-типа, и металлические электроды, расположенные на слое диэле...
570282
Способ регистрации светового излучения
COlO3 СОВЕТС СОЦИАЛИСТИЧЕСКИМ= РЕСПУБЛИН (19) ЗС51) . H 01 L 31/ОО ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21 ) 2383854/18-25 (22 ) 12.07.76 (46) 29.02.84. Бюл. Р 8 (72) Х.И. Кляус, А.В. Ржанов и Е.И. Черепов (71) Институт физики полупроводников СО AH СССР (53) 621 382(088.8) (56) 1. Носов Ю.Р ..и др. П...
667016
Устройство временной задержки электрического сигнала
УСТРОЙСТВО ВРЕМЕННОЙ ЗАДЕРЖКИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СИГНАЛА, содержащее полупроводниковую подложку с расположенными на ней слоем диэлектрика и проводящим электродом, перекрывающими области истока и стока, выполненные в полупроводниковой подложке,о тличающееся тем, что, с целью расширения временного диапазона функционирования, в подложке мeждv истоком и стоком по всей ширине проводящего э...
710417
Матрица приборов с зарядовой связью
МАТРИЦА ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ по авт.св. № 533090, от л ичающаяся тем, что, с целью реализации функции АЗУ, на полупровод" никовой подложке размещен слой полу- П1рЬвддника; противоположного типа проводимости, а слой диэлектрика под одним из электродов в каждой ячейке содержит ловушки захвата метастабильного заряда. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК 09) (11) ОП...
719408
Интегральное запоминающее устройство
ИНТЕГРАЛЬНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее полупроводниковую подложку, на поверхности которой расположены первый диэлектрический слой с первыми мета)тлическими электродами и второй поляриэующийся диэлектрический слой,о т л и ч а ющ е е с я тем, что,с целью упрощения устройства, оно содержит вторые металлические электроды, расположенные на поверхностях диэлектрических сло.;в...
731864
Оптоэлектронный элемент памяти
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий полупроводниковую подложку р -типа проводимости и размещенный на подложке слой полупроводника П -типа проводимости, в лсотором размещена запоминающая среда с рас- i положенными в ней ft *-областями стока и истока,'о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения надежное* ти элемента, запоминающая среда выполнена в виде области полупро...
797406
Способ создания потенциального рельефа в приборах с зарядовой связью
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО РЕЛЬЕФА В ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ в полупроводниковой подложке под передающим электродом, основанный на приложении к передающему электроду обедняющего напряжения и формирований в полупроводниковой подложке электрического поля, ускоряющего носители заряда в направле1ши переноса, о т л и ч а ющ и и с я тем, что, с целью увеличения бйстродействия,...
865078
Способ записи информации на приборах с зарядовой связью
СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ , НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, основанный на воздействии на входной ТЕНИЯ i Hg-irsffnit-r..-, « VitvlHtS - - . -..,::;- -Ь4 диод и входной затвор сигнала ввода, а на затвор накопления-сигнал хранения , и воздействии на затвор переносов сигнала разрешения записи, о тличающийся тем, что, с целью повьшения надежности способа записи за счет линеаризации за...
1040947
Преобразователь интенсивности света в частоту
СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (5И5 G 01 J 1/44 ГОСУДАР СТВ Е ННЫ И KOMklT ET ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ и ОТКРЬ ТИЯМ ПРИ! К ".Т СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ К АВТОРСКМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (2 )) 4441788/25 (22j 17,Î6.88 (461 30.10,91, Бк;л. ¹ 40 (71, Институт физики полупроводникоs СО АН СССР (72) А,N.KðèмскиР и ; =,И.Черепов (53) 621,383(п88.8) (56 Авторское свидетельство СССР...
1543959