Буланов А.Д.(RU)

 Изобретение относится к области получения высокочистых веществ и касается разработки способа получения высокочистого моноизотопного кремния Si28, который может быть использован в микроэлектронике. Получают высокочистый Si28H4 по реакции восстановления тетрафторида кремния Si28F4 гидридом кальция при 180-200°С. Выделение кремния осуществляют термическим разложением силана при температуре 8...