C30B13/34 - отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией

Способ выращивания монокристаллов германия методом отф

Изобретение относится к выращиванию из расплава легированных монокристаллов германия в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав. Способ включает выращивания легированных монокристаллов германия из расплава в тигле на кристаллографически ориентированную затравку диаметром, равным внутреннему диаметру тигля, в условиях теплового осевого потока вблизи...

2330127

Способ выращивания трубчатых кристаллов вольфрама и устройство для его реализации

Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании трубчатых кристаллов вольфрама электронно-лучевой вертикальной зонной плавкой с использованием кольцевого затравочного кристалла. Способ осуществляют следующим образом. Сначала обрабатываемую трубчатую заготовку 4 из вольфрама устанавливают на нижней опорной трубе 2 держателя, на верхней части тру...

2358043

Способ выращивания монокристаллов изотопно-обогащенного кремния

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов изотопнообогащенного кремния 28Si или 29Si, или 30Si, который является перспективным материалом для изготовления элементов спиновой наноэлектроники, квантовых компьютеров, радиационностойких детекторов ионизирующих излучений. Способ включает выращивание монокристаллов изотопнообогащенного кремния на монокристаллическую затравку длиной...

2370576

Способ выращивания монокристаллов германия диаметром до 150 мм методом отф

Изобретение относится к выращиванию из расплава легированных монокристаллов германия в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав, в условиях осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации - методом ОТФ. Легированные монокристаллы германия выращивают из расплава в тигле, размещенном на теплоотводящем блоке, на кристаллографически ориентирован...

2381305

Способ выращивания бикристаллов переходных металлов

Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании бикристаллов переходных металлов и их сплавов. Способ выращивания бикристаллов переходных металлов электронно-лучевой зонной плавкой металла с использованием бикристаллической затравки с известной ориентировкой роста границы включает размещение обрабатываемого монокристалла металла и затравки с пом...

2389831

C30B13/34 - отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией

Патенты в этой категории