C30B15/26 - с использованием телевизионных детекторов; с использованием фотодетекторов и(или) рентгеновских детекторов

Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава методом вытягивания (по чохральскому)

И 108648 Класс 40d, 1;с В. В. Добровенский СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА МЕТОДОМ ВЫТЯГИВАНИЯ (ПО ЧОХРАЛЬСКОМУ) Заявлено 24 октября 1956 г. за № 559644 в Комитет по делам изобретений и открытий прп Совете Ынистров СССР В подавляющем больш1и нстве случаев выращивание кр испаллов ведется без пр имене ния каких-либо сло>ины...

108648

Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава

,% 113806.Класс 12с, 2 СССР /:: 1 ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В. В. Добровенский СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА Заявлено 2 ноября 1956 г. за № 560241 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Методом кристаллизации по Штоберу выращивают целый ряд люминесцентных монокристаллов...

113806

Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления

Использование: изобретение относится к производству для управления процессом выращивания монокристаллов из расплава по методу "Чохральского" и может быть использовано в полупроводниковом производстве, для получения монокристаллических слитков германия. Устройство состоит из вертикального штока, на котором закреплен выращиваемый монокристалл, тигля с расплавом, регулятора мощности, нагрева...

2128250

Способ измерения диаметра кристалла в ростовой установке

Изобретение относится к области выращивания кристаллов в ростовых установках. Сущность изобретения: посредством измерителя, установленного под углом к расплаву, определяют положение границы между кристаллом и расплавом. При этом одновременно определяют положение границы между кристаллом и расплавом посредством другого идентичного измерителя, установленного в плоскости, проходящей через ос...

2176689

Устройство для выращивания кристаллов и способ выращивания кристаллов

Сущность изобретения: устройство для выращивания кристалла содержит кристаллизатор для нахождения в нем запаса расплавленного материала, из которого можно вырастить кристалл, и первое отражающее устройство для приема излучения, направленного вдоль входного пути, и отражения излучения по направлению ко второму отражающему устройству, посредством чего второе отражающее устройство отражает в...

2200776

Способ регулирования уровня расплава в тигле в процессе выращивания кристаллов методом чохральского

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов. Положение уровня расплава контролируют с помощью видеокамеры, которую устанавливают под углом к вертикали. С помощью непрерывно получаемого видеоизображения определяют угол между вертикалью и лучом, проходящим через фокус оптической системы видеокамеры и центр окружности, образованной выращиваемым кристаллом на границ...

2227819

Способ измерения диаметра кристалла в ростовой установке

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для измерения диаметра кристалла и уровня расплава в зоне кристаллообразования. Сущность изобретения: Способ изобретения осуществляют с помощью двух измерителей, установленных под разными углами к вертикали в вертикальной плоскости, пересекающей поверхность расплава, при этом формируют два двумерных изображения границ...

2261298

Способ измерения уровня расплава и диаметра кристалла в ростовой установке

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в ростовых установках для измерения диаметра кристалла и уровня расплава как в центре тигля, так и в зоне кристаллообразования. Способ измерения уровня расплава и диаметра кристалла в ростовой установке, в котором с помощью датчика уровня измеряют уровень расплава в тигле на выбранном расстоянии от его оси вращения, с...

2263165

Способ измерения уровня расплава при выращивании кристаллов

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в ростовых установках для измерения уровня расплава при расширенном диапазоне угловых скоростей его вращения. Сущность способа состоит в том, что формируют зондирующий световой пучок, направляют его под углом к поверхности расплава в точку зондирования, с помощью оптической системы, установленной на пути отраженного о...

2281349

Установка для выращивания монокристаллов, например, сапфиров

Изобретение относится к устройствам для выращивания объемных монокристаллов из расплавов, например, сапфира методом Чохральского, Киропулоса, и может быть использовано в электронной и полупроводниковой промышленности. Установка содержит цилиндрическую камеру 1 с крышкой 2 и поддоном 3, установленный в камере блок тепловых экранов, тигель для расплава с размещенным над ним затравкодержателем, связ...

2404297

Способ измерения уровня расплава и его скорости вращения при выращивании кристаллов

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Расходящийся зондирующий лазерный световой пучок направляют на поверхность расплава под углом к вертикальной оси. Полученная узкая световая полоса ориентирована вдоль радиуса тигля. Затем определяют положение отраженного от расплава светового пучка с помощью двумерного фотоприемного устройства и оптической системы. При отсутствии вращения р...

2542292

C30B15/26 - с использованием телевизионных детекторов; с использованием фотодетекторов и(или) рентгеновских детекторов

Патенты в этой категории