C30B15/36 - отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией

Патент ссср 356873

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 356873 CGIQ3 Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 17Х111.1970 (№ 1471292/23-26) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 21.VI.1973. Бюллетень № 27 Дата опубликования описа ния 4.Х.1973 М. Кл. В 011 17/18 Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений и...

356873

Способ выращивания кристаллов кремния с двойниковыми границами по плоскостям {[11}

оюз .1 тек 1>1 4I82ll Союз Советскиа Социалистический Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 10,03.72 (21) 1758323,23-26 с присоединением заявки ¹ (32) Приоритет Опубликовано 05.03.74. Бюллетень ¹ 9 Дата опубликования описания 03.09.74 (51) М. Кл. В Olj 17/18 С 01Ь 33/00 Государственный комитет Сонета Министров СССР ле делам и...

418211

Способ получения слитка полупроводника с множеством границ наклона @

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛИТКА ПОЛУПРОВОДНИКА С МНОЖЕСТВОМ ГРАНИЦ НАКЛОНА hko / заключающийся в приготовлении затравок в виде прямоугольных параллелепипедов с осями двумя типами боковых поверхностей и ) , состыковке их в единый блок при чередовании затравок двух типов, креплении затравок в держателе и вытягивании из расплава на состыкованной затравке слитка, отличающийся тем, что, с цел...

1081245

Устройство для выращивания профилированных кристаллов

Изобретение относится к технологии получения профилированных кристаллов вытягиванием из расплава и обеспечивает упрощение затравления и повышение выхода годных кристаллов. Устройство состоит из тигля с формообразователем и затравкодёржателем со средством захвата затравки. Последнее выполнено в виде тйг. Нижний конец тяг имеет полки для затравки. Верхний конец шарннрио присоединен...

1443488

Способ выращивания кристаллов алюминия

Способ выращивания кристаллов алюминия из расплава на затравку, ориентированную по оси <111> в вакууме не ниже 1 10-5 мм рт.ст., отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты кристаллов, выращивание ведут одновременно на затравку, ориентированную по оси <110> и параллельно присоединенную к затравке, ориентированной по оси <111>, со скоростью не более 60 мм/ч.

1450428

Способ выращивания монокристаллов гадолиний-скандий- галлиевого граната

Изобретение относится к материалам квантовой электроники, в частности к технологии выращивания монокристаллов гадолиний-скандий-галлиевого граната (ГСГГ), которые используются для изготовления активных элементов, и позволяет улучшить оптическое и структурное совершенство монокристаллов. Берут затравку ГСГГ, вытянутую в направлении112} и выполненную в форме цилиндра или прямоугольного пара...

1665732

Способ получения кристаллов кремния с циклической двойниковой структурой

Изобретение относится к производству полупроводниковых слитков и пластин, в частности кристаллов кремния с циклической двойниковой структурой. Сущность изобретения при получении кристаллов кремния с циклической двойниковой структурой путем выращивания из расплава методом Чохральского на затравку с циклической двойниковой структурой от базовой - трехзеренной, образованной двумя когерентным...

2208068

Способ выращивания монокристаллов

Изобретение предназначено для выращивания из расплавов монокристаллов методом Чохральского. Сущность изобретения: выращивание осуществляют с программированием процесса роста по скоростям вращения тигля и затравки, при этом процесс вытягивания монокристалла ведут под углом b к вертикали, соответствующей заданному кристаллографическому направлению, причем величина угла b определяется услови...

2241792

Способ выращивания кристаллов

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов соединений, обладающих высокой упругостью паров над расплавом в условиях роста при нормальном атмосферном давлении методом Чохральского. Сущность изобретения: способ состоит из 2 стадий, включающих выращивание легированных кристаллов, из которых изготавливаются заготовки затравок в виде диска заданного диаметра толщиной порядка 5-6 мм для...

2248418

Монокристалл со структурой галлогерманата кальция для изготовления дисков в устройствах на поверхностно-акустических волнах и способ его получения

Изобретение относится к производству акустоэлектронных частотно-избирательных устройств на поверхностных акустических волнах. Сущность изобретения: в качестве монокристалла со структурой галлогерманата кальция в устройствах на ПАВ используют монокристалл, геометрическая ось которого перпендикулярна термостабильному срезу, выращенный методом Чохральского, в котором в качестве затравочного кристалла...

2250938

Сплав для монокристаллических затравок

Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано при литье монокристаллических отливок с заданной кристаллографической ориентировкой из жаропрочных сплавов, в частности монокристаллических лопаток газовых двигателей. Предложен сплав для монокристаллических затравок, содержащий тугоплавкий элемент, при этом в качестве основы сплав содержит палладий, а в качестве тугоплавкого эл...

2255130

Способ выращивания монокристаллов сапфира из расплава

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано на предприятиях химической и электронной промышленности для выращивания монокристаллов сапфира 1-6 категории качества методом Киропулоса из расплавов на затравочный кристалл. Способ включает подготовку шихты, ее загрузку и расплавление посредством нагревательного элемента в вакууме, затравление и вытя...

2350699

Способ и установка для выращивания монокристалла сапфира с ориентацией в с-плоскости

Изобретение относится к технологии получения керамических материалов, в частности монокристаллического сапфира в виде слитков или пластин, которые могут быть использованы при производстве светодиодов. Способ формирования материала монокристалла сапфира с ориентацией в С-плоскости включает затравливание установки с расплавом затравкой, имеющей ориентацию оси С главным образом перпендикулярно продо...

2436875

Способ получения монокристаллов фосфида индия

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов фосфида индия методом Чохральского из-под слоя борного ангидрида под давлением инертного газа. Способ включает затравливание на затравку, разращивание монокристалла до заданного диаметра при одновременном вытягивании его конической части с заданной скоростью и последующее выращивание ц...

2462541

Способ получения крупногабаритных монокристаллов антимонида индия

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, а именно к получению монокристаллов антимонида индия, которые широко используются в различных фотоприемных устройствах, работающих в ИК-области спектра. Для получения крупноблочных монокристаллов антимонида индия, ориентированных в кристаллографическом направлении [100], проводят синтез и получение поликристаллического крупн...

2482228

Способ выращивания монокристаллов литий-магниевого молибдата

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов литий-магниевого молибдата Li2Mg2(MoO4)3. Способ включает расплав литий-магниевого молибдата в расплаве растворителя, кристаллизацию при охлаждении расплава и охлаждение выращенных кристаллов, при этом в качестве растворителя используют молибдат лития Li2MoO4 при мольном соотношении литий-магниевого молибдата и молибдата лития Li2MoO4, ра...

2487968

Способ выращивания монокристаллов германия

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов германия в форме диска из расплава и может быть использовано для изготовления объективов в устройствах регистрации инфракрасного излучения. Монокристаллы германия выращивают в кристаллографическом направлении [111] после выдержки при температуре плавления в течении 1-2 часов, при температурном градиенте у фронта кристаллизации в преде...

2493297

Способ получения крупногабаритных малодислокационных монокристаллов антимонида галлия

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, которые используются в качестве подложечного материала в изопериодных гетероструктурах на основе тройных и четверных твердых растворов в системах Al-Ga-As-Sb и In-Ga-As-Sb, позволяющих создавать широкую гамму оптоэлектронных приборов (источников и приемников излучения на спектральный диапазон 1,3-2,5 мкм). Способ включает с...

2534106

Способ выращивания монокристаллов калий-бариевого молибдата

Изобретение относится к области химической технологии, а именно к выращиванию кристаллов калий-бариевого молибдата K2Ва(МоО4)2 из раствора-расплава K2Ва(МоО4)2 для исследования физических свойств и практического использования. В качестве растворителя используют молибдат калия K2MoO4,, при мольном соотношении калий-бариевого молибдата и молибдата калия K2MoO4, равном 1:2, соответственно, кристал...

2540555

Способ выращивания монокристаллов рубидий-висмутового молибдата

Изобретение относится к области химической технологии и касается получения кристаллов рубидий-висмутового молибдата RbBi(MoO4)2. Кристаллы RbBi(MoO4)2 выращивают из высокотемпературного раствора в расплаве из шихты, содержащей растворитель димолибдатат рубидия и тройной литий-рубидий-висмутовый молибдат LiRbBi2(MoO4)4, при соотношении последнего к димолибдату рубидия, равном 10-40: 90-60 мол....

2542313

Способ выращивания монокристаллов натрий-висмутового молибдата

Изобретение относится к области химической технологии выращивания кристаллов натрий-висмутового молибдата NaBi(MoO4)2 для исследования физических свойств и практического использования. Монокристаллы NaBi(MoO4)2 выращивают путем кристаллизации из высокотемпературного раствора в расплаве шихты, содержащей натрий-висмутовый молибдат и растворитель димолибдат натрия в соотношении, равном 10-30:90-70...

2556114

Способ очистки поверхности расплава при выращивании монокристаллов германия

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов германия из расплава. Сущность изобретения заключается в осуществлении извлечения шлаков (окисные пленки) с поверхности расплава, а также и со стенок тигля ниже уровня расплава германия в тигле. Это позволяет обеспечить выход монокристаллов со значительно меньшей плотностью дислокаций, снизить риск двойникования и поликристаллизации слитка...

2641760

C30B15/36 - отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией

Патенты в этой категории