Способ зонной перекристаллизации градиентом температуры кремниевых пластин на основе алюминиевых зон
Использование: изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение при изготовлении интегральных схем и полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ включает перекристаллизацию в нестационарных тепловых полях двух - пяти градиентных нагревателей путем последовательного перемещения пластин кремния от одного нагревателя к другому без их выключения, прич...
