Способ определения скорости роста эпитаксиального слоя s @ с
Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано для изучения процесса роста эпитаксиальных слоев. Цель изобретения - повышение точности определения скорости роста. Способ включает определение скорости роста эпитаксиального слоя SIC, выращенного на подложке из раствора-расплава SIC за фиксированный промежуток времени. При выращивании слоя в ра...
