C30B25/12 - держатели или приемники подложек

Устройство для газовой эпитаксии полупроводников и диэлектриков

(19)SU(11)713018(13)A1(51) МПК 6 C30B25/12(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГАЗОВОЙ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к устройствам для газовой эпитаксии полупроводников и диэлектриков....

713018

Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов

Сущность изобретения: устройство содержит реактор, внутри которого установлен подложкодержатель (ПД). ПД выполнен в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты. Под сателлитами вдиске и основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки. На стороне сателлитов, обращенной к диску, выполнены также газотранспортные канавки. Их форма и угловое расположение аналогич...

1768675

Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов

Сущность изобретения: устройство содержит реактор, внутри которого размещен подложкодержатель, выполненный в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты. Под сателлитами в диске и основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки. В устройстве имеются средства ввода и выводи газа. В диске соосно сателлитам выполнены кальцевые проточки, соединенные с началом га...

1784668

Устройство для плазмохимического осаждения пленок

Использование: для химического осаждения пленок из газовой фазы. Устройство содержит охлаждаемый держатель подложек, выполненный в форме цилиндра. Цилиндр снабжен втулкой, закрепленной на нем при помощи резьбы или на трении с уплотняющими прокладками. Подложка закреплена во втулке неподвижно и заподлицо с ней. Втулка выполнена из нетеплопроводного теплозащитного материала, например кварц...

2026896

Реактор для получения широких пластин исходного поликристаллического кремния

Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния осаждением на нагретые подложки (основы) в процессе водородного восстановления хлорсиланов или из газовой фазы моносилана. Сущность изобретения: реактор для получения исходного поликристаллического кремния в процессе водородного восстановления хл...

2222648

Устройство для крепления стержней-подложек в реакторе выращивания поликристаллического кремния

Изобретение относится к производству полупроводниковых материалов, в частности к получению поликристаллического кремния осаждением на нагретые стержни-подложки в процессе водородного восстановления кремния из хлорсиланов. Устройство для крепления стержней-подложек 7 в реакторе снабжено металлическими охлаждаемыми токовводами 1, на конце которых выполнена резьба, по которой на токовводы установлен...

2398055

Реактор с подложкодержателем для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении

Изобретение относится к оборудованию для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении (ХОГФПД) и может быть использовано при формировании и диэлектрических, полупроводниковых и проводящих слоев в производстве. Реактор в виде горизонтальной трубы, герметизированный от атмосферы, включает нагреватель, вводы для газов, откачной трубопровод с затвором и клапаном медленной откачки, вакуумны...

2448205

C30B25/12 - держатели или приемники подложек

Патенты в этой категории