Способ и устройство для термической обработки полупроводниковых соединений ii-vi и полупроводники, подвергшиеся термической обработке с помощью этого способа
Использование: при изготовлении светоизлучающих устройств на основе селенида цинка. Сущность изобретения: способ термической обработки полупроводникового соединения ZnSe включает формирование пленки алюминия на поверхности, по меньшей мере, одного кристалла ZnSe, размещение, упомянутого по меньшей мере одного кристалла ZnSe в камере для термической обработки, имеющей внутреннюю поверхност...