C30B30 - Производство монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, отличающееся воздействием электрического или магнитного полей, волновой энергии или других специфических физических условий

Способ получения кристаллических веществ, элементов и сплавов

Изобретение относиться к способам получения веществ, элементов и сплавов при выделении их из паров, растворов и расплавов или из веществ в другом кристаллическом или аморфном состоянии, например, при выделении органических соединений, при перекристаллизации, при выплавке черных, цветных и благородных металлов. Для повышения чистоты и улучшения качества кристаллических веществ и сплавов в...

2094548

Устройство для наложения техно-физических воздействий на структурируемые технологические переделы

Изобретение относится к технике для производства кристаллоидных материалов. Задачей изобретения является устранение сопротивлений ходу инициируемых структуризационных преобразований. Сущность изобретения состоит в том, что предлагаемое устройство включает частотный преобразователь, размещенный на цепи подсоединения к источнику питания исполнительного органа объекта регулирования. Новым в...

2100492

Способ получения нитевидных кристаллов оксида цинка

Изобретение может быть использовано в полупроводниковом материаловедении. Сущность изобретения: рост нитевидных кристаллов оксида цинка осуществляют на воздухе с использованием излучения CO2- лазера непрерывного действия. Изобретение позволяет получать нитевидные кристаллы без затравок и кристаллизационных камер. 1 ил. Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения. Р...

2131951

Способ получения нитевидных кристаллов

Изобретение относится к новым способам получения кристаллов, используемых в полупроводниковом материаловедении. Способ выращивания нитевидных кристаллов заключается в том, что рост кристаллов осуществляется на материале пластин в камере, заполненной рабочим газом, в поле действия встречных дифракционных полей от рентгеновских излучателей, излучение от которых проходит в камеру через пакет...

2180932

Способ получения углеродного нанокристаллического материала, чувствительного к рн среды

Изобретение относится к нанотехнологии. Способ получения углеродного нанокристаллического материала включает приготовление раствора полиакрилонитрила (ПАН) (Мη=1×105) в диметилформамиде (ДМФА) с СПАН=1÷5 мас.%, выдерживание ПАН до растворения в ДМФА в течение 72 часов при 25°С, нанесение на стеклоуглеродную основу слоя раствора ПАН/ДМФА, сушку полимерного слоя в сушильном шкафу при 90°С в течени...

2353572

Способ и устройство плазмохимического синтеза нанообъектов

Изобретение относится к синтезу нанообъектов различных химических элементов и их соединений, которые могут быть использованы в электронных компонентах, катализаторах, в медицине, строительстве и т.д. Способ плазмохимического синтеза нанообъектов заключается в том, что создают струю плазмы путем пропускания плазмообразующего газа через электрическую дугу с последующим выходом образующейся плазмы...

2371381

Способ получения кремния

Изобретение относится к металлургической промышленности, в частности к переработке кремнистых пород для получения полупроводникового кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов и в электронной технике. Способ включает разрушение и переработку кремнистой породы, восстановление кремнезема в электрической печи до кремния, химико-металлургическую очистку и измельчение...

2441838

Способ получения наноструктурированных алмазных покрытий на изделиях из вольфрама

Изобретение относится к технологии неорганических веществ и материалов. Способ включае выращивание алмазного покрытия химическим осаждением из газовой фазы в СВЧ-плазме при температуре роста в камере осаждения, атмосфера которой содержит 5-30% метана на единицу объема H2, на поверхности изделий из вольфрама, имеющих осевую симметрию вдоль оси вращения, в игольчатых держателях так, чтобы тело вращ...

2456387

Способ динамического синтеза ультрадисперсного кристаллического ковалентного нитрида углерода c3n4 и устройство для его осуществления

Группа изобретений относится к физике низкотемпературной плазмы и плазмохимии, а также к области электротехники и электрофизики, а именно к ускорительной технике, и может быть использована для генерирования высокоэнтальпийных струй углеродсодержащей электроразрядной плазмы и получения ультрадисперсных кристаллических фаз твердых и сверхтвердых материалов. Способ заключается в реализации плазмохим...

2475449

Способ получения наноструктурированных массивов кристаллов оксида цинка

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения и может быть использовано для получения отдельных кристаллов и массивов оксида цинка для применения в качестве активных элементов, материала для фотокаталитической очистки сред, пьезоэлектрических датчиков, а также для фундаментальных исследований кинетики роста кристаллов. Способ характеризуется тем, что латунную мишень, покрыту...

2478740

Способ получения микро- и наноструктурированных массивов кристаллов оксида цинка

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения и может быть использовано для получения отдельных кристаллов и массивов оксида цинка для применения в качестве активных элементов, материала для фотокаталитической очистки сред, пьезоэлектрических датчиков, а также для фундаментальных физических исследований кинетики роста кристаллов. Рост кристаллов осуществляют на воздухе с ис...

2484188

Способ получения алмазоподобных покрытий комбинированным лазерным воздействием

Изобретение относится к технологиям повышения износостойких, прочностных и антифрикционных свойств металлорежущего инструмента, внешних поверхностей обшивки авиационных и космических летательных аппаратов, оптических приборов и нанотехнологиям. Алмазоподобные покрытия получают в вакууме путем распыления материала мишени импульсным лазером. На материал мишени, выполненной из графита высокой степе...

2516632

Способ получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов

Изобретение относится к области металлургии, в частности к выращиванию волокон из расплава. Способ получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов включает размещение в вакуумной камере питателя исходного материала в виде прутка, подачу лазерного излучения на поверхность исходного материала и вытягивание исходного материала с образованием волокна, при этом при подаче лазерного из...

2577260

Способ получения кремния

Изобретение относится к металлургической промышленности, в частности к переработке кремнистых пород при получении полупроводниковых материалов, которые могут быть использованы для изготовления солнечных коллекторов и элементов электронной техники. Способ включает разрушение и переработку кремнистой породы до получения порошкообразного кремнезема, его облучение, очистку и восстановление до кремни...

2592629

Способ ударного сжатия тел малой плотности, снаряд и реактор для его осуществления

Изобретение относится к области средств получения высоких динамических давлений и температур и может быть использовано для проведения химических реакций, изменения кристаллической структуры твердых тел при высоком давлении и температуре, в частности для получения искусственных алмазов (алмазного порошка), для сжатия DT-льда с целью получения нейтронного источника, для осуществления инерциальног...

2610865

Способ получения тонкой наноалмазной пленки на стеклянной подложке

Изобретение относится к технологиям получения износостойких, прочностных тонких алмазных пленок методом вакуумной лазерной абляции и может быть использовано в различных областях промышленности и науки для получения тонкопленочных упрочняющих покрытий и создания наноструктурных материалов. Тонкую наноалмазную пленку получают на стеклянной подложке путем распыления материала мишени импульсным лазеро...

2614330

Способ получения твердотельных регулярно расположенных нитевидных кристаллов

Изобретение относится к технологии формирования упорядоченных структур на поверхности твердого тела и может быть использовано для получения нитевидных кристаллов из различных материалов, пригодных для термического испарения. На подложку, имеющую морфологию в виде упорядоченных пор и/или других упорядоченных неоднородностей нано- и/или микрометрового размера 2, осуществляют термическое осаждение 1...

2657094

Способ получения поликристаллического ортогерманата висмута

Изобретение относится к материалам для сцинтилляционной техники, к эффективным быстродействующим сцинтилляционным детекторам гамма- и альфа-излучений в приборах для экспресс-диагностики в медицине, промышленности, космической технике и ядерной физике. Предложен способ получения поликристаллического ортогерманата висмута с субмикронным размером зерен, характеризующегося наличием единственной компон...

2659268

Способ получения алмазоподобных тонких пленок

Изобретение относится к технологии производства тонких алмазных пленок и может быть использовано в различных областях промышленности и науки для получения тонкопленочных упрочняющих покрытий и активных слоев тонкопленочных наноструктур. Алмазоподобную пленку получают конденсацией углерода на стеклянную подложку из парогазовой фазы, полученной испарением мишени из высокочистого графита за счет возд...

2668246

Подкатегории

Патенты в этой категории