H01J37/317 - для изменения свойств объектов или для нанесения тонких слоев на них, например ионное внедрение (H01J 37/36 имеет преимущество)

Способ ионной имплантации

Изобретение относится к технической физике, в частности к радиацирииому материаловедению, и предназначено для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий из металлов и сплавов, полупроводников, диэлектриков и др. методом ионной имплантации. Целью изобретения является увеличение концентрации имплантируемой примеси в любом материале, которая в...

1412517

Способ ионной имплантации

Изобретение может быть использовано для модификации поверхности изделий из металлов и сплавов. Цель изобретения повышение качества обработки и достигается путем формирования совпадающих по глубине профилей распределения примесей. Для этого подачей импульсного напряжения на катодный промежуток инициируют слаботочный вакуумно - дуговой разряд, затем подачей напряжения между анодом и коллект...

1565288

Способ имплантации ионов и устройство для его осуществления

Изобретение относится к технической физике, в частности к радиационному материаловедению, и может быть использовано для улучшения электрофизических, химических и механических свойств приповерхностных слоев металлов и сплавов, полупроводников и др. материалов. Цель изобретения расширение функциональных возможностей и повышение точности измерения дозы внедренной примеси при имплантации. Ус...

1609381

Устройство для легирования поверхности детали ионным пучком

Сущность изобретения: устройство содержит два комплекта взаимно перпендикулярных пластин, с помощью которых происходит отклонение пучка ионов. На каждый комплект подается изменяющаяся разность потенциалов с двух идентичных блоков управления (БУ). Каждый БУ содержит реверсивный счетчик импульсов, постоянную память (ПП), два цифроаналоговых преобразователя (ЦАП) и выходной усилитель с параф...

2061275

Устройство для плазменной обработки семян растений

Использование: в сельском хозяйстве, в растениеводстве, а также в области физико-химической обработки материалов, в частности семян. Сущность изобретения: внутри камеры расположен полый охлаждаемый электрод 2 и транспортирующий механизм 6 для подачи обрабатываемых семян, загрузочный 4 и сбросовый 5 бункеры, причем в качестве другого электрода может быть использован металлический корпус ка...

2076555

Способ предпосевного стимулирования жизнеспособности и продуктивности семян сельскохозяйственных культур

Использование: в сельском хозяйстве, точнее в растениеводстве и может быть использовано при обработке семян растений перед посевом. Сущность изобретения: способ предпосевного стимулирования жизнедеятельности и продуктивности семян с/х культур, предусматривает воздействие на семена газовой плазмой при частоте электрического разряда в диапазоне 1-40 мГц и мощности разряда не более 0,003 Вт/...

2076556

Способ обработки семян растений

Использование: в сельском хозяйстве, растениеводстве и может быть применено для предпосевной обработки семян растений. Сущность изобретения: для повышения пищевой ценности растениеводческой продукции при снижении удельных энергозатрат на семена перед посевом воздействуют газовой плазмой в течение 5-300 с при частоте электрического разряда 1-40 мГц, мощности не более 0,003 Вт/см3 и давлени...

2076557

Способ ионной имплантации

Изобретение относится к способам нанесения покрытий ионной имплантацией и может быть использовано в электронной и других отраслях промышленности. Сущность изобретения: имплантацию ионов в мишень осуществляют на глубину, превышающую проецированный пробег ионов при одновременной бомбардировке мишени электронами из плазмы электродугового испарителя при положительном потенциале на мишени. 1 и...

2087586

Генератор атомарного водорода

Использование: в технологии микроэлектроники для генерации атомарного водорода на основе газового разряда постоянного тока. Сущность изобретения: увеличение эффективности получения атомарного водорода достигается путем объединения в одном устройстве различных механизмов диссоциации молекулярного водорода, а также увеличения концентрации электронов в плазме газового разряда. Ток разряда со...

2088056

Магнетронная распылительная система

Магнетронная распылительная система (МРС) относится к плазменной технике является основным узлом установки для нанесения тонких пленок из металлов и их соединений на диэлектрические листовые материалы большой площади. МРС содержит камеру, в которой расположены катоды и магнитная система. Катоды выполнены в виде труб из распыляемого материала, снабжены индивидуальными магнитными системами,...

2107970

Магнетронная распылительная система

Магнетронная распылительная система (МРС) относится к плазменной технике и предназначена для нанесения пленок из металлов и их соединений. МРС содержит анод, катод-мишень и магнитную систему. Магнитная система представляет собой корпус из магнитомягкого материала, являющийся внешним магнитопроводом. Внутри него вдоль оси системы с зазорами на торцах расположен центральный магнитопровод. В...

2107971

Установка для имплантации

Изобретение относится к радиационному материаловедению и предназначено для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий из различных материалов. Установка для имплантации обеспечивает повышение производительности, чистоты получаемых имплантируемых потоков, повышение площади имплантируемых поверхностей без применения сканирующих устройств и повышение у...

2110110

Устройство для имплантации ионов

Изобретение относится к устройствам получения интенсивных ионных пучков и может быть использовано в установках имплантационной металлургии для увеличения глубины ионной имплантации (ИИ). Для увеличения глубины ИИ в облучаемую поверхность при стационарном пучке ионов выходы системы питания анода (А) и высоковольтного управляющего (У) выпрямителя снабжают интегрирующими блоками (Б), отношен...

2118012

Способ имплантации частиц в твердое тело

Изобретение относится к технической физике и может быть использовано в любой отрасли для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий. Техническим результатом является снижение энергии иона для улучшения энергетических параметров способа и улучшения качества обрабатываемых поверхностей. В способе имплантации тяжелых атомов в твердое тело тяжелые атомы...

2120680

Ионный микропроектор и способ его настройки

Изобретение относится к области электронной техники и может найти применение при изготовлении интегральных схем с большой информационной емкостью методом литографии, а также в других процессах прецизионной обработки поверхности материалов ионным лучом, например нанесение на субстрат рисунков с изменением в нем поверхностных свойств материалов, в частности изменение типа проводимости в пол...

2126188

Установка для нанесения тонкослойных покрытий

Изобретение относится к плазменной технике и предназначено для нанесения различных покрытий на поверхность диэлектрических материалов, преимущественно листовых, с большой площадью поверхности. В систему питания магнетронной растительной системы (МРС) введен блок сравнения средних значений мощности, а также скорости изменения тока и напряжения с опорными сигналами. Этот блок подключен выхо...

2138094

Способ импульсно-периодического нанесения вакуумных покрытий и устройство для его осуществления

Изобретение относится к вакуумной ионно-плазменной технике, предназначенной для нанесения покрытий при их одновременном облучении ускоренными ионами и используемой для модификации поверхностей материалов и изделий в машино- и приборостроении, в инструментальном производстве и других областях. В способе импульсно-периодического нанесения вакуумных покрытий, включающем в каждом цикле поочер...

2141004

Магнетронная распылительная система

Магнитная распылительная система (МРС) относится к области плазменной техники и предназначена для нанесения тонких пленок на поверхность твердых тел, преимущественно листовых материалов. МРС, как и прототип содержит анод, являющийся корпусом системы, катодный узел и кассету для обрабатываемого материала. Катодный узел представляет собой магнитный блок, закрытый плоской распыляемой мишенью...

2151439

Устройство проекционной электронно-лучевой литографии

Изобретение относится к области электронно-лучевой обработки объектов. Техническим результатом является повышение качества нанесения рисунка и упрощение технологического процесса проекционной электронно-лучевой литографии за счет того, что алмазная пленка является многоразовой, устойчивой к действию воздуха, позволяет снимать большие плотности тока с поверхности и обладает малыми энергией...

2183040

Способ импульсно-периодической имплантации ионов и плазменного осаждения покрытий

Изобретение относится к радиационному материаловедению и предназначено для изменения механических, химических, электрофизических свойств приповерхностных слоев металлов, сплавов, полупроводников, диэлектриков и других материалов путем нанесения покрытий или изменения состава поверхностных слоев ионной имплантацией. Плазму формируют непрерывным вакуумно-дуговым разрядом, затем из нее импул...

2238999

Магнетронная распылительная система

Изобретение относится к плазменной технике и предназначено для вакуумного ионно-плазменного нанесения тонких пленок металлов и их соединений на поверхность твердых тел. Предложенная магнетронная система содержит камеру, анод, катод-мишень и магнитный блок, содержащий магнитопровод и постоянные магниты. Катод-мишень и магнитный блок выполнены протяженными, внутри катода-мишени расположен м...

2242821

Способ изготовления подложки с резистом

Изобретение относится к способу изготовления подложки, снабженной слоем резиста с рельефной структурой, воспроизводящей дифракционную структуру. К слою резиста по меньшей мере на отдельных участках примыкает проводящий слой, который при экспонировании слоя резиста электронным лучом рассеивает первичные электроны и/или эмиттирует вторичные электроны. При осуществлении этого способа материал слоя ре...

2334261

Устройство азотирования детали из алюминиевого сплава путем ионной имплантации и способ, в котором используется такое устройство

Изобретение относится к устройству имплантации ионов азота в деталь (5) из алюминиевого сплава и способу обработки алюминиевого сплава и может найти применение в области обработки пластмасс при изготовлении пресс-форм из алюминиевого сплава. Устройство содержит источник (6) ионов, поставляющий ионы азота, ускоряемые вытягивающим напряжением, и первые средства (7-11) регулировки начальным пучком...

2372418

Устройство и способ изменения свойств трехмерных фасонных деталей посредством электронов и применение способа

Изобретение относится к устройству и способу для изменения свойств трехмерной фасонной детали (2) посредством электронов, содержащему по меньшей мере один ускоритель (3а; 3b) электронов для генерирования ускоренных электронов и два окна (5а; 5b) выхода электронов, при этом оба окна (5а; 5b) выхода электронов размещены друг против друга, при этом оба окна (5а; 5b) выхода электронов и по меньшей ме...

2389106

Способ ионной имплантации

Изобретение может быть использовано в электронике, в частности в технологии изготовления полупроводниковых приборов на карбиде кремния, а также в области модифицирования поверхности ионной имплантацией для получения износо- и коррозионно-стойких материалов. Способ ионной имплантации включает создание плазмы внутри рабочей камеры и подачу импульсного ускоряющего напряжения, согласно изобретению им...

2403646

H01J37/317 - для изменения свойств объектов или для нанесения тонких слоев на них, например ионное внедрение (H01J 37/36 имеет преимущество)

Патенты в этой категории