H01L21/18 - приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками

Твердый выпрямитель

№ 37198 Класс 21 g, 1!, АВТОРСКОЕ СВИДЕТЕЛоСТВ0 НА ИЗОБРЕТЕНИЕ ОПИСАНИЕ твердого выпрямителя. К авторскому свидетельству Ю. А. Козловского и А. H. Сысоева, заявленному 25 октября 1933 года (спр. о перв. № 136596). О выдаче авгopcl;0fo свндетельства опубликовано 30 и оня 1934 года. Предмет изобретен ия. Эксперт В. и, Болык.тн Редактор А..И, Сабтренков Ленпромгечатьсо:оз. Т i7...

37198

Способ регулирования величины коэффициента усиления по току германиевых транзисторов

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ l75143 Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 20.11.1961 (№ 710002/26-9) Кл. 21g 1102 с присоединением заявки № Приоритет Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР МПК Н Oll УДК 621.382.23(088.8) Опубликовано 21.IX.1965. Бюллетень ¹ 19 Дата опубликования описа...

175143

Фотомишень видикона

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 218214 Со(оз Советских Социалистических Республик Г Зависимое от авт. свидетельства ¹ Заявлено 24.VI.1965 (№ 1014217/26-25) с присоединением заявки M Приоритет Опубликовано 10.VII.1969. Бюллетень ¹ 23 Дата опубликования описания 11.XII.1969 Кл. 2la>, 32/35 21 ь, 29/30 :1ПК Н 04п Н Oll УДК 621.383.8(088.8) Комитет по делам...

218214

Патеитно- техническая10киблиотека

232392 О П И С А Н И Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства ¹â€” Кл. 21@, 11!02 Заявлено 20.111.1961. (¹ 710344/26-25) с присоединением заявки ¹вЂ” МПК Н 011 ПриоритетвЂ” Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР УДК 621.382.3 (088.8) Опубликовано 03.Х11.1969. Бюллетень ¹ 1 з...

232392

Способ присоединения монокристаллических пластин кремния к инородным подложкам

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ; Союз Советскнх Соцнавнстнческнх Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61} Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) 3аявлено 040269 (2Ц 1305098/26-25 (51) N. Ka. H 0l b 7/34 с присоединением заявки ¹Государственный комнтет СССР н о делам нзобретенн и н открытнй (23) Приоритет " (53) УДК 621.382 ° .002(088.8) Опубликовано 2501.79 Б|оллетеиь ¹ 3 Дата опублик...

348132

Патент ссср 400931

400Ж ОПИСАН И Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 17.V1.197! (Л% 1671523/24-7) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 01.Х.1973. Бюллетень № 40 Дата опубликования описания 12.11.1974 M. Кл. Н 01l 7/44 Н Oll 15/00 Гасударственный комитет Совета Министров СССР по делам и...

400931

Способ изготовления германиевых точечных полупроводниковых диодов

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ (i i) 555762 Ооюа Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 07.09.71 (21) 1694764/25 (51) M. Кл з Н 01Ь 21/18 с присоединением заявки Уо (43) Опубликовано 23.07.82. Бюллетень Хе 27 (45) Дата опубликования описания 23.07.82 (53) УДК 621.382 (088.8) по делам изобретений и открытий (72)...

555762

Способ получения полупроводниковых приборов на основе соединений типа а в

1111599659 ОПИСАНИЕ ИЗОБР ЕТЕ Н И Я К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических впту Республик, ФИД Siiiiii И., (61) Дополнительное к авт, свид-вувЂ” (22) Заявлено 21.09.76 (21) 2404709/18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) П р и ор итетв (51) М.Кл.- Н 01 L 21/18 Государственный комитет (53) УДК 621.382 (088.8) ло делам изобретений и открытий (43) Опубликовано...

599659

Способ изготовления омического соединения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО СОЕДИНЕНИЯ кремниевой структуры с термокомпенсатором большой площади с помощью алюминия или силумина, заключающийся в нагреве до температур сплавления и временной вьщержке, отличающийся тем, что, с целью;улучшения' электрических и тепловых характеристик соединения при одновременном сохранении электрофизических параметров исходных структур, сплавление...

667007

Геттер для уменьшения уровня шумов

ГЕТТЕР ДЛЯ УМЕНЬШЕНИЯ УРОВНЯ ШУШВ кремниевых полупроводниковых устройств пленарного типа на основе нестихиометрических кремниевых соединений, отличающийся тем, что, с целью повьшения воспроизводимости и эффективности геттера используют соединения типаSIRX 1где R - металлоиды IV, V и VI групп периодической системы, преимущественно углерод или азот; значение X изменяют от 0,01 до 0,...

668502

Способ получения светодиодов на арсениде галлия

В. Ф. Коваленко, И. Е; Марончук, Ю. Е. Марончук и Ю. Г. Пухов (72) Авторы изобретения (7!) Заявитель И"ститут физики полупроводников Сиоирскога отделения AH СССР (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ НА АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ Изобретение относится к. полупровод никовой технологии, в частности к способам изготовления высоко эффективных светодиодов инфракрасного диапазона, и может быть ис...

680085

Способ изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей из монокристаллического кремния

(19)SU(11)695418(13)A1(51) МПК 5 H01L21/18(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Изобретение относится к электронике, преимущественно к технологии изготовления интегральных меха...

695418

Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур

Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур, включающий создание коллектора, базы, травление в маскирующем диэлектрике эмиттерных окон, осаждение легированной поликристаллической пленки кремния, формирование из пленки мезы, внахлест маскирующей эмиттерное окно, создание эмиттерного p-n-перехода, формирование внутрисхемной разводки, отличающийся тем, что, с целью улучшения...

745297

Способ изготовления диодов шоттки

Способ изготовления диодов Шоттки, включающий выращивание высокоомной монокристаллической эпитаксиальной пленки n-типа проводимости на низкоомной кремниевой подложке n+-типа проводимости, создание на поверхности эпитаксиальной пленки р-слоя и формирование в нем охранного кольца, вытравление канавок на глубину большую, чем глубина р-слоя, термическое окисление пластины, вскрытие в окисле к...

818372

Способ изготовления полупроводниковых приборов с полевым эффектом

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПОЛЕВЬМ ЭФФЕКТОМ ,, включающий операции создания областей .стока и истока и подзатворного диэлектрика, путем получения на поверхности полупроводника пленки двуокиси кремния и стаб.илизации ее слоем фосфорсиликатного стекла, создания затвора .и контактных площадок, отлич.ающийс я тем, что, с целью повышения выхода годных, пленку фос...

862742

Устройство для изготовления светодиодов

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскик Социалистических Республик 972616 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 250777 (21) 2507352/18-21 с присоединением заявки ¹ t$g) М Кд 3 Н 01 L 21/18 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет Опубликовано 07.1182. Бюллетень ¹41 Дата опубликования описания 07.11.82 (...

972616

Способ изготовления полевых транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой подложки первого типа проводимости первого и второго диэлектрических слоев из двуокиси и нитрида кремния и первого слоя фоторезиста, формирование в них отверстий, легирование через отверстия примесью первого типа -проводимости приповерхностного слоя полупроводниковой подложки, удаление...

1085437

Способ формирования диффузионных областей и контактов к ним

1. Способ формирования диффузионных областей и контактов к ним, включающий нанесение диэлектрической пленки на кремниевую подложку, осаждение первого слоя поликремния, вскрытие окон в поликремнии и диэлектрике, осаждение второго слоя поликремния, термообработку, формирование поликремниевой разводки и металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки диффузионных...

1176774

Способ изготовления полупроводниковых структур

Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий операции формирования на подложке нихромовых плавких перемычек, формирования на них защитного слоя и разводки контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа формирования защитного слоя, увеличения выхода годных структур, увеличения степени интеграции больших интегральных схем, формирование защитного слоя проводят путе...

1228711

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверхбыстродействующих схем на подложках из антимонида индия. Цель изобретения - улучшение параметров приборов. При изготовлении полупроводниковых приборов на подложке антимонида индия р-типа проводимости проводят ионную имплантаци...

1265894

Способ изготовления полупроводниковых чувствительных элементов датчиков

Способ изготовления полупроводниковых чувствительных элементов датчиков, заключающийся в формировании тензорезисторов, тонкопленочных проводников и контактных площадок и утоньшении кристаллов путем травления, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления, уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных, после формирования схемы пластину со стороны тензосхемы закрывают...

1326102

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках и модульных устройствах вычислительных машин. Целью изобретения является повышение степени интеграции элементов и повышение процента выхода годных полупроводниковых приборов путем исключения случайного ухода расплава при входе его в подложку при проведении процесса термомиграции. Для этого в сп...

1508867

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках и модульных устройствах вычислительных машин. Целью изобретения является повышение степени интеграции элементов в полупроводниковых приборах, содержащих проводящие каналы, и повышение процента выхода годных полупроводниковых приборов путем исключения случайного ухода расплава при входе его в по...

1514175

Способ изготовления высоковольтных кремниевых приборов

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления высоковольтных кремниевых приборов и способам защиты p-n-переходов от влияния внешних зарядов. Цель изобретения - улучшение электрических характеристик приборов и повышение выхода годных за счет исключения взаимодействия электродов с пассивирующей пленкой поликремния, увеличения прочности со...

1556432

Способ изготовления матрицы мезаструктур лавино-пролетных диодов

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления лавино-пролетных диодов. Целью изобретения является расширение частотного диапазона генерации и повышение КПД лавино-пролетных диодов. Это достигается тем, что в способе формируют методом лазерного напыления на металлической подложке двухслойную поликристаллическую структуру p-n перехода. Рекристаллиз...

1579340

Патенты в этой категории