H01L21/20 - нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание

Способ выращивания монокристаллических слоев

I84808 СПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Соита Сосетсхих Социалистииесинх Респт0лии "й"Ъ Зависимое от авт. свидетельства № Кл. 12с, 2 40с1, 3/00 Заявлено 15.XI1.1964 (№ 933370/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 25.IV.1969. Бюллетень № 15 Дата опубликования описания 12.IX.1969 МПК В 01(j С 22f УДК 621,9.416(088.8) комитат по папа@ иаобое...

184808

Патент ссср 341115

34III5 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДБ ЕЛЬС7ВУ Gei«a Соеетоких Социали

341115

Устройство для крепления полупроводниковых подложек

УСТРОЙСТВО ДЛЯ КРЕПЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК^ нагреваемых электрическим током, при полз^чении • эпитаксиальных слоев, содержащее пру-, жинные зажимы и токоподводы, о т л ичающееся тем, что, с целью повышения качества эпитаксиаль)Е1ЫХ слоев, токоподврда выполнень! в виде двух пар металлических пластин с контактными брусками, изготовленными из полупроводникового материала под...

343324

Способ получения полупроводниковых структур

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (11) 463384 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 02,01,7 3 (21) 18657 85/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.01,77,Бюллетень №1 (45) Дата опубликования описания 27.04.77 (51) М. Кл Н 01 1. 21/20 Государственный комитет Совета Министров СС...

463394

Сособ получени я слоев двуокиси кремния

510057

Контактное устройство для подключения мощных диодов и стабилитронов к измерительному прибору

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ .ц 5I25IS Сева Сееетскик Соцлелистическик. Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 23.07,73 (21) 1946660/25 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет Опубликовано 30.04.76. Бюллетень № 16 Дата опубликования описания 04.06.76 (51) М. Кл 2 Н 01L 21/20 Гссударствеииме комитет Совета MHNNGTpOB СССР по делам иаобр...

512515

Способ очистки поверхности эпитаксиальных слоев, легированных кремнием

(11: 5 i 3 5 7 5 К АВУОРСКО (б() Дополнительно (22) Заявлено28,03 с присоединением з (23) Приоритет (43) Опубликовано (45) Дата онублик (51) М. Кл. Н 01 L 21/20 Государственный квинтет Совета Министров СССР оо делан изооретений и открытий (УЗ) УД (621.382 (088,8) (72) Авторы изобретении И. E. Марончук, Б, И. Сушко, Ю, Г. Пухов и Ю, Е, Марончук (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОЧИСТК...

513575

Способ селективного наращивания полупроводниковых однослойных и многомлойных эпитаксильных структур из газовой фазы

У д Ъсес эвзнаее 519045 o ll и с АиииФж п1 ИЗОБРЕТЕН Ия Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 25.07.74 (21);204997 Э/25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.08.78.Бюллетень № 29 (45) Дата опубликования описания 26.06.78 2 (51) М. Кл. Н Ol J 21/20 Государственный комитет Со...

519045

Источник галлия для газотранспортной эпитаксии арсенида галлия

1. Источник галлия для газотранспортной эпитаксии арсенида галлия, представляющий собой кварцевую лодочку закрытого типа, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности работы и уменьшения времени насыщения источника, в отверстие источника опущен капилляр, имеющий на другом конце развитую поверхность контакта с газовой фазой. 2. Источник по п.1, отличающийся тем, что капилляр образ...

531430

Способ эпитаксиального наращивания монокристаллических слоев на неорентирующей подложке

О п И ИЕ К ЗОЬРЕТЕЙ ИЯ Сокол Советских Соцйалисти 2еснитт PB@ jj y gjj jj r j (61) ДОНОлнительнОе к авт. сВил-sv (5т) М. Кл (22) Заявдено64.11.74 (Я) 2О72312/25 HpkrgOr.r rjkrH HHr2rj Вактаак;И фа (23) Г)риоаитет Н О1 I 21nO Гавудврвтвваньй авнвтвт йавта Ивавстров СОИ ав дува вщвввтвврйт.ч вта ;ып-: 1 (432 . п гбЛНКОПВНО QQoo8„7ßðrcjjjjBTôjjb pro 2 1 j "к45),ОИТН Опх 6АИКОВ...

538639

Способ изготовления электролюминесцентного экрана

Сюез Советеиик Сециаиистичесиик РЕСИУбИИК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6т} Дополнительное к авт. саид-вувЂ” (22} Заявлено 250676 (И} 2375301/25 с присоединением заявки ¹ (23} Приоритет Опубликовано 2503796юллетень № 11 Дата опубликовании описания 2503.79 H 01 Ь 21/20 Государственный комитет СССР но делам изобретений и открытий (5Э} УДК 621.383 (088. 8)...

580772

Способ получения варизонных структур

Сеюз Севетсиии Сев)лелистичжиик Реевублии ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l) дополнительное к авт, свий-вувЂ” (22) Заявлено .150476{2I) 2346222/25 с присое)гниением заявки №вЂ” {23) Приоритет {53) М. Кл. Н 01 I 21/20 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК621. 388 (088. 8) Опубликовано 25.03-79Бюллетень № 11 Дата опубликовани...

586758

Устройство для эпитаксиального наращивания полупроводниковых материалов

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К ЬвтОРСКОМЮ СВИДЕтЕЛЬСТВЮ Союз Советских Социалистических Республик (11) 608376 (51) М. Кл. (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 12.04.76 (21) 2346094/18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет Опубликовано 05.02.79г>юллетень № 5 Дата опубликования описания 10.02.79 Н 01 J 21/20 Государственный комитет ссср по делам изооретений...

608376

Устройство для выращивания эпитаксиальных структур из газовой фазы

612316 ном гусгройстве, содержащем нагреваHCTDIHHKB H IIDQIICQVKH, BepТике ?ь-» ный трубчатый реактор со штуцерами для ввода и вывода газе, расположенный в нем блэк для резмец?ения подложек H установленный параллельно ему блэк д-гя размещения твердых источников, пр ?нем блоки закреплены на соосных IHToKax проводящих через ??х центр и связанных с приводами для вращения и перемещ...

612316

Устройство для выращивания эпитаксиальных структур из газовой фазы

Сова Советских СОцмалмстичесимх Республик ОП ИСАНИЕ < цв12з17 ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТВЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свил-ву(22) Заявлено 13.11.75 (2|) 2185810/25 2 (51) М. KA. с присоединением заявки №вЂ” Н 01 4 21/20 Гаауааратаенньй кампат Сааата Мнннатраа СССР as делам нзабратаннй н аткритнй (23) ПриоритетвЂ” (43) Опубликоваио25,06.78.Бюллетень 34 23 (53} У...

612317

Способ осаждения слоев теллурида цинка

1. СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА'из раствора-расплава методом жидкостной эпитаксии в закрытой откачанной качающейся ампуле, включающий загрузку в ампулу подложки и вещества, 'из расплава которого производят осаждение, откачку и отпайку ампулы, нагрев ее до температуры растворения и вьщержку при постоянной температуре, последующую эпитаксию в процессе понижения температуры...

625509

Способ изготовления электролюминесцентного экрана

Союз Советскнх Соцналнстнческмх Республмк (iii655257 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свнд-ву М 580772 (22) Заявлено 10,1077 (21) 2532441/18-25 (51)М. ХЛ.2 с присоединением заявки HP Н 01 Ь 21/20 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытии (23) Приоритет (53) УДК 621 ° 383 (088. 8) Опубликовано 0509.79. Бюллетень HP 33 Дата...

655257

Способ получения слоев двуокиси кремния

Способ получения слоев двуокиси кремния посредством окисления моносилана кислородом в потоке газа-носителя в горизонтальном трубчатом реакторе, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности слоев двуокиси кремния по длине реактора, процесс проводят при равномерно возрастающей температуре 0,3 - 3oC/см по направлению движения газового потока в интервале температур 300 - 450oC.

676100

Способ получения варизонных структур с p-n переходом

Способ получения варизонных структур с p-n переходом, основанный на изотермическом смешивании растворов-расплавов при диффузии высокоактивного компонента через узкую щель в слой бинарного расплава, легированного амфотерной примесью, покрывающего перемещающуюся подложку, отличающийся тем, что, с целью получения высокоэффективных излучательных p-n переходов с контролируемой глубиной залеган...

689467

Способ получения полупроводниковых эпитаксиальных структур

1. СПОСОБ ПОЛУ^ШНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР, включающий резку полупроводникового слитка на пластины, подготовку пластин и эпитаксиальное наращивание, отличающийся тем, что, с целью уменьшения дефектности зпитаксиальных слоев, перед эпитаксиальным наращиванием в периферийной области пластин создают зону.обогащенную механическими нарушениями.2.Способ ПОП.1, отличаю...

723986

Способ изготовления полупроводниковых интегральных схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование областей скрытого слоя противоположного типа проводимости подложке, маскирование подложки диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон, эпитаксиальное наращивание, диффузию примеси одного типа проводимости с подложкой для формирования базовых областей, диффузию примеси привоположного типа проводимости по отно...

760837

Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа iiibv

Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа AIIIBV путем жидкостной эпитаксии из двух насыщенных растворов-расплавов, одним из которых, составленным на основе бинарной системы с низкоактивным компонентом и добавкой амфотерной примеси, покрывают подложку, а другой, составленный на основе трехкомпонентной системы, приводят в контакт с первым через систему отверстии, перемеща...

762636

Способ изготовления локальных эпитаксиальных структур фосфида индия

Изобретение относится к технологии изготовления локальных эпитаксиальных структур фосфида индия и может быть использовано для создания полевых транзисторов, диодов и т.д. Цель изобретения - улучшение качества эпитаксиальных структур за счет устранения высокоомного слоя в переходной области подложка - эпитаксиальный слой. На поверхности полупроводника путем химического травления через маск...

1373232

Способ изготовления структур кремний на диэлектрике

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов. Целью изобретения является повышение выхода годных структур. Цель достигается тем, что способ включает последовательное формирование на поверхности кремниевой подложки слоев изолирующего окисла, поликристаллического кремния капсулнрующего покрытия, отжиг в азотсодерж...

1570550

Способ формирования пучка нейтральных атомов и устройство для его осуществления

Изобретение относится к технике и технологии обработки микроструктур и может быть применено в производстве изделий микроэлектроники. Цель изобретения - повысить качество и разрешающую способность при производстве микроструктур, расширить спектр применяемых материалов. Пучок нейтральных атомов формируется на основе резонансного взаимодействия с полем стоячей волны монохроматического электр...

1672865

H01L21/20 - нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание

Патенты в этой категории