Способ изготовления полупроводниковых полевых структур с управляющим p-n-переходом и вертикальным каналом
Использование: микроэлектроника, технология производства полевых структур с управляющим p - n-переходом и вертикальным каналом. Сущность изобретения: на кремниевой подложке с эпитаксиальным слоем первого типа проводимости формируют многослойную диэлектрическую маску, проводят травление затворных областей плазмохимическим методом до образования щели, затем окисляют внутреннюю поверхность...
