H01L21/443 - из газа или пара, например конденсацией

Способ изготовления полупроводниковых диодов с барьером шоттки

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 306650 Союз Советскиз Социалистическиз РЕСПусрии М ПАТЕНТУ Зависимый от патента № Заявлено 15.Х!!.1966 (Л 1118224/26-25) Приоритет 16.XII.1965 X 77689/65, Япония МПК Н Oll 7/34 Н Oll 7/36 Комитет по делам изооретеиий и открытий при Совете MNNNcTpOB СССР Опубликовано 11 VI.1971. Бюллетень № 19 УДК 621.382,002(088.8) Дата опубликования описания 19ХП.197) А...

306650

Патент ссср 409631

< 11 40 9631, ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сома C04BTCKNX Социалистических Республик (6i) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 10.02.72 (21) 1746805, 26-25 с присоединением заявки ¹ (32) Приоритет Опубликовано 05.09.74. Бюллетень № 33 Дата опубликования описания 11.05.75 (51) М. Кл. Н 01l 7/60 Н 011 11/14 Государственный комитет Совета Министр...

409631

Способ изготовления омического контактного слоя и полупроводниковое устройство ii-vi групп

Изобретение относится к области технической физики. Сущность: способ изготовления омического контактного слоя на слое p-типа на полупроводнике (пп) II-VI групп в камере молекулярно-лучевой эпитаксии, в качестве источника элемента VI группы выбирают: источник элемента Хm, где m<6; источник элемента Sem, где m<6; термически расщепленный Se. Легирующую примесь p-типа вводят в виде своб...

2151457

H01L21/443 - из газа или пара, например конденсацией

Патенты в этой категории