H01L21/46 - обработка полупроводниковых подложек с использованием способов, не предусмотренных в H01L 21/36-H01L 21/428 (изготовление электродов на них H01L 21/44)

Полировальный состав для обработки полупроводниковых материалов

Союз Советсних Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 29.10,73 (21) 196813 1) М. Кл. . Н OIL 21/463 с присоединением заявки №вЂ” Государственный комитет Совета «1инистров СССР ео делам изобретений н открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.05,76. Бюллет ) УДК 621.382(088.8) (45) Дата опубликования описания (72 Авторы изобретения В. Л...

513413

Устройство для ориентации полупроводниковых приборов

(11) 20647 r it>F,Q ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено22.01.75 (21) 2098126/25 с присоединением заявки № (23) ПриоритетвЂ” (43) Опубликовано 05.07,76.Бюллетень № 25 (45) Дата опубликования описания26.08.76 (51) М. Кл.е Н 01 (- 21/46 Государственный комитет Совета Минист...

520647

Способ изготовления р-п-n гетеропереходов

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ!! 1! 631014 Союз Советских Социал11стических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлен! 02.06.76 (21) 2367947, 18-25 с присоединением заявки М (23) Приоритет (43) Опуоликоваио 15.05,82. Бюллетсиь М 18 (45) Дата опубликования описания 15.05.82 (51) М. Кг!.з Н 01L 21,!46 Государственный комитет (53) УД1(621.382 (08...

631014

Способ изготовления диодных матриц

Способ изготовления диодных матриц, включающий формирование контактов на противоположных поверхностях полупроводниковой структуры, состоящей из слоев p- и n-типа различной толщины, соединение контактов между собой параллельными проводящими шинами, перпендикулярными шинам на противоположной поверхности структуры, изготовление в тонком слое структуры изолирующих областей между проводящими ш...

1277842

Способ снятия пластмассовых покрытий

Сущность изобретения: при удалении покрытий полупроводниковых приборов плазму создают путем пропускания тока в газовой среде над обрабатываемым покрытием, а воздействие на покрытие осуществляют сгустками плазмы длительностью 10 - 15 мкс, которые формируют с помощью импульсного магнитного поля. 1 ил. Изобретение относится к электронной технике, к механической обработке полупроводниковых пр...

2010393

Полировальный состав для полупроводников типа а2ivi и способ полирования полупроводников типа а2ivi

Изобретение относится к материаловедению полупроводников. Технический результат изобретения заключается в получении высококачественной поверхности полупроводников AI2V1, имеющей высокие электрофизические характеристики. Сущность: используют композицию, содержащую 2 - 20% аморфного аэросила, 3 - 60% кислотного травителя, 20 - 95% воды, при следующих режимах обработки: удельное давление на...

2170991

Способ очистки поверхности сапфировых подложек

Изобретение относится к области очистки сапфировых подложек для гетероэпитаксии нитридов III группы, которые в дальнейшем применяются для изготовления различных оптоэлектронных элементов и устройств. Сущность изобретения: способ очистки поверхности сапфировых подложек, прошедших финишную полировку растворами силиказолей, предусматривает размещение подложек в металлические кассеты, ультразвуковую...

2395135

H01L21/46 - обработка полупроводниковых подложек с использованием способов, не предусмотренных в H01L 21/36-H01L 21/428 (изготовление электродов на них H01L 21/44)

Патенты в этой категории