H01L21/8222 - технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах

Способ изготовления интегральной схемы

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 140576 (21) 2361135/18-25 (51)M НЛ. с присоединением заявки МвЂ” Н 01 L 21/02 Государственный комитет СССР но делам изобретений и открытий (23) Приоритет Опубликовано 3 01 080. Бюллетень Ио 4 0 Дата опубликования описания 3 03. 080 {53) УД...

594838

Способ изготовления инжекционных логических интегральных схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНЖЕК- ЦИОННЫХ ЛОГИЧЕСКИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий эпитаксиальное наращивание пленки кремния на подложке, термическое окисление, нанесение пленки нитрида кремния, фотогравировку под базовые и инжекторные области, диффузионное легирование, фотограбировку и диффузионное легирование коллекторных областей, вскрытие контактных окон и форг^ирование металлизации,...

708862

Способ изготовления полупроводниковых интегральных биполярных схем

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Соцналистическнх Реслублнк (ii>773793 (61) Дополнительное к авт. сеид-ву (51) М. Кл.3 (22) Заявлено 02.11.77 (21) 2540035/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет Н 01 L 21/82 Государствеииый комитет СССР по делам изобретений и откр ыти Й Опубликовано 231080 бюллетень ¹ 39 Дата опубликования описания 251080...

773793

Способ изготовления интегральных полупроводниковых схем

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К ПАТЕНТУ Союз Советских Социалистических Республик Il,)912065 (61) Дополнительный к патенту 1 (22) Заявлено 15.11.77 (21) 2542550/18-25 (51) М. Кл, (23) Приоритет вЂ” (32) 16 11.76 Н 01 1 21/82 1ооударстаеиый коиитет СССР по лелаи изобретеиий и открытий (31) Р 2652103, 9 (33) ФРГ Опубликовано 07.03;82. Бюллетень № 9 (53) УДК 621.382 (088.8) Дата опуб...

912065

Способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем

Использование в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления интегральных схем (ИС) с использованием комплементарных биполярных транзисторов NPN и PNP с носителями разного типа проводимости. Сущность изобретения: способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем по предлагаемому изобретению приводит к тому, что размеры эмиттера и базы тран...

2244985

Способ изготовления самосовмещенных транзисторных структур

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления самосовмещенных транзисторных структур включает формирование в полупроводниковой подложке первого типа проводимости сплошного скрытого слоя второго типа проводимости, формирование на полупроводниковой подложке эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование первого диэлектрика, легирование эпитаксиал...

2377691

Стабилизированные металлические наночастицы для 3d-печати

Использование: для применения в 3D-принтере. Сущность изобретения заключается в том, что материал содержит множество металлических микрочастиц, имеющих среднюю поперечную длину, от примерно 1 мкм до 250 мкм, при этом металлические микрочастицы содержат: множество металлических наночастиц, имеющих среднюю поперечную длину, меньшую или равную примерно 50 нм, и стабилизирующий материал на внешних пов...

2662044

H01L21/8222 - технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах

Патенты в этой категории