Способ формирования структур магнитных туннельных переходов для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа и структура магнитного туннельного перехода для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа (варианты)
Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Техническим результатом изобретения является формирование ферромагнитного электрода, выполненного в виде свободного перемагничивающегося слоя, в контакте с туннельным барьером с высокой характеристикой гладкости, отсутствием парамагнитной фазы при упрощении метода получения магнитных туннельных пер...