H01L21/8247 - электрически программируемые (СПЗУ)

Полупроводниковое запоминающее устройство с высокой степенью интеграции и способ изготовления полупроводникового запоминающего устройства

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству с выполненной в виде колонны ячейкой стираемой программируемой постоянной памяти с плавающим затвором и управляющим затвором и к способу для его изготовления. При этом ячейка стираемой программируемой постоянной памяти выполнена настолько тонкой, что она полностью обеднена. Управляющий затвор используемой ячейки стираемой...

2153210

Способ изготовления областей истока матрицы запоминающих ячеек быстрого электрически стираемого программируемого постоянного запоминающего устройства

Использование: при изготовлении запоминающих ячеек. Сущность изобретения: для защитной изоляции на полупроводниковую подложку наносят многослойную структуру (сэндвич) оксид кремния-поликристаллический кремний-оксид кремния. Для легирования областей истока и соединительных дорожек истока наносят маску фоторезиста, которая оставляет свободными области между шинами слов соответствующей пары...

2168241

Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке

Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке предусматривает изготовление многослойной защитной структуры, формирование на ней первого слоя, например поликристаллического кремния, изготовление на нем структуры, осаждение второго слоя, который может селективно травиться относительно первого...

2168797

Способ формирования мемристора на основе твердотельного сплава si:me и структура мемристора на основе твердотельного сплава si:me

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегрального элемента логики и/или энергонезависимой памяти на основе структур металл-изолятор-металл (МИМ). Задачей данного изобретения является создание мемристора, который отличается отсутствием «формовки» при первоначальном переключении структуры в состояния с малым сопротивлением. Поскольку этот этап являе...

2540237

H01L21/8247 - электрически программируемые (СПЗУ)

Патенты в этой категории