H01L21/8258 - на подложке из полупроводникового материала с использованием комбинации технологий, рассматриваемых в рубриках H01L 21/822,H01L 21/8252, H01L 21/8254 или H01L 21/8256

Мощный свч-транзистор

Использование: в полупроводниковой электронике, конструкциях мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит транзисторные кристаллы с транзисторными структурами, размещенные на металлическом фланце корпуса, являющемся общим выводом коллекторных или стоковых электродов транзисторных кристаллов, а также два вывода других электродов транзисторов, расположенные...

2054750

Прецизионный интегральный поликремниевый резистор и способ его изготовления

Изобретение относится к конструированию прецизионных интегральных поликремниевых резисторов и может быть использовано в аналоговых и аналого-цифровых интегральных схемах (ИС). За счет экранирования резистивного поликремния от подложки локальными экранами из проводящего материала достигается эффект повышения точности воспроизведения сопротивлений и отношения сопротивлений интегральных поли...

2110871

Эцр-плазменный источник для обработки полупроводниковых структур, способ обработки полупроводниковых структур, способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (варианты), полупроводниковый прибор или интегральная схема (варианты)

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к технике изготовления твердотельных приборов и интегральных схем с использованием СВЧ плазменного стимулирования в условиях электронного циклотронного резонанса (ЭЦР), а также к технологии плазменной обработки в процессе изготовления различных полупроводниковых структур. ЭЦР-плазменный источник для обработки полупроводниковых ст...

2216818

H01L21/8258 - на подложке из полупроводникового материала с использованием комбинации технологий, рассматриваемых в рубриках H01L 21/822,H01L 21/8252, H01L 21/8254 или H01L 21/8256

Патенты в этой категории