H01L27/08 - содержащие только полупроводниковые компоненты одного вида

Составной транзистор

1. СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР, состоящий из двух каскадов, соединенных преимущественно по схеме Дарлингтона , вьшолненный на кремниевой подложке , являющейся общим коллектором, имеющий полупроводниковые слои базы И- эмиттера, токоподводящие и монтажные контакты, отличающийся тем, что, с целью уменьшения паразитной емкости, повьшения тепловой устойчивости и производительности монтажа, :...

957690

Полупроводниковый источник инфракрасного излучения (варианты)

Полупроводниковый источник инфракрасного излучения включает полупроводниковую подложку (1) с двумя оптически связанными и геометрически разнесенными дисковыми резонаторами (2) или кольцевыми резонаторами (10) в виде гетероструктур. На поверхность полупроводниковой подложки (1) противолежащую поверхности с дисковыми резонаторами (2) или кольцевыми резонаторами (10), нанесен первый омический контак...

2465699

Устройство накопления энергии

Изобретение относится к устройству накопления энергии и может быть использовано в электрических транспортных средствах. Устройство (100) накопления энергии содержит пористую проводящую подложку (110); изоляционный слой (120), соприкасающийся с внутренними поверхностями (112) пористой проводящей подложки (110); и проводящий слой (130), соприкасающийся с внешними поверхностями (122) изоляционного с...

2645304

Конструкция микросистемы с повышенной радиационной стойкостью к воздействию одиночных заряженных частиц

Использование: для создания микроэлектромеханических устройств (МЭМС) с повышенной радиационной стойкостью. Сущность изобретения заключается в том, что в конструкции микросистемы с повышенной радиационной стойкостью к воздействию одиночных заряженных частиц, имеющей механическую часть и электрическую часть с фрактальной формой, обкладки микроконденсаторов электрической части имеют трехмерную фракт...

2659623

H01L27/08 - содержащие только полупроводниковые компоненты одного вида

Патенты в этой категории