H01L27/105 - компоненты с полевым эффектом

Матрица кни мдп-транзисторов

Использование: в микроэлектронике для создания матричных МДП-транзисторов и интегральных схем на их основе, включая многослойные, со структурами кремний-на-изоляторе (КНИ). Сущность изобретения: матричный КНИ МДП-транзистор состоит из монокристаллической кремниевой подложки с последовательно сформированными на ней слоями изолирующего окисла, рекристаллизованного поликремния, содержащего ч...

2012948

Интегральный полевой транзистор с размерным квантованием энергии

Использование: изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно - к интегральным полевым транзисторным структурам СБИС. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение быстродействия транзистора за счет обеспечения высокой подвижности электронов в канале при высокой их концентрации, снижения скорости деградации характеристик тр...

2257642

Интегрированные транзисторно-запоминающие структуры и массив подобных структур с матричной адресацией

Изобретение относится к интегрированным транзисторно/запоминающим структурам. Сущность изобретения: интегрированные транзисторно/запоминающие структуры содержат один или более слоев полупроводникового материала, два или более электродных слоев, а также запоминающий материал, контактирующий с электродами, находящимися в указанных электродных слоях. По меньшей мере, один слой полупроводникового мате...

2287205

Интегральный двунаправленный четырехконтактный коммутатор на основе комплементарных квантовых областей

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники. Для повышения быстродействия и расширения функциональных возможностей в интегральный двунаправленный четырехконтактный коммутатор на основе комплементарных квантовых областей, содержащий полуизолирующую GaAs-подложку, AlGaAs-области первого и второго типа проводимости, две AlGaAs-области спейсеров собственной провод...

2304825

Ячейка памяти со структурой проводящий слой-диэлектрик-проводящий слой

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового матер...

2376677

Четырехконтактный элемент интегрального коммутатора

Изобретение относится к области интегральной электроники, а именно - к элементам интегральных коммутаторов. Для увеличения быстродействия и расширения функциональных возможностей в четырехконтактный элемент интегрального коммутатора, содержащий полуизолирующую GaAs-подложку, области GaAs и AlGaAs-спейсера собственной проводимости, барьерную область AlGaAs второго типа проводимости, область GaAs...

2597677

Кмоп кни интегральная микросхема с повышенной радиационной стойкостью (варианты)

Изобретение относится к субмикронным КМОП КНИ ИМС, действующим в условиях воздействия больших доз радиационного облучения, характерных для длительной эксплуатации космических аппаратов в дальнем космосе. КМОП КНИ ИМС с повышенной радиационной стойкостью содержит систему-на-кристалле, выполняющую функции преобразования и/или хранения информации, и генератор отрицательного напряжения, включающий п...

2601251

H01L27/105 - компоненты с полевым эффектом

Патенты в этой категории