Интегральный токомагнитный датчик на основе биполярного магнитотранзистора
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Сущность изобретения: интегральный токомагнитный датчик на основе биполярного магнитотранзистора на монокристаллической подложке кремния состоит из двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора и сопротивлений нагруз...