H01L29/15 - структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например множественные потенциальные квантовые ямы, сверхрешетки (такие структуры, применяемые для управления светом G02F 1/017, такие структуры, применяемые в полупроводниковых лазерах H01S 5/34)

Полупроводниковое запоминающее устройство

О П И C А Н И Е ()явы з ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Саветсккк Социалистических Респубики К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 16.05.80 {21) 2917351/18-25 с присЬелинеиием заявки МвЂ” (23) Приоритет(Я)м. кл . Н 01 1 29/14 р Н 01, 45/00 Гевумрстеввиыв квавтет Опубликовано 15.03.83 Бюллетень М 10 во дввви взебретеиий и еткритий (53) УДК 821. .382...

1005223

Сверхрешетка

Использование: в микроэлектронике, вычислительной технике, оптоэлектронике. Сущность изобретения: в устройстве между полупроводниковой подложкой и металлическим электродом расположен туннельно прозрачный слой диэлектрика, подложка выполнена легированной так, что область пространственного заряда на границе с диэлектриком в полупроводнике туннельно прозрачна. Толщина слоя диэлектрика 1 - 5...

2062529

Резонансный полупроводниковый прибор на основе квантовых биений

Использование: в микроэлектронике, нанотехнологии и оптоэлектронике. Техническим результатом изобретения является увеличение быстродействия и снижение трудоемкости изготовления. Сущность изобретения: тонкопленочный нанокристаллический кремний, легированный атомами родия до создания примесных уровней в запрещенной зоне нанокристаллов кремния с энергиями 0.353 и 0.591 эВ от дна зоны проводи...

2226306

Резонансный полупроводниковый прибор на основе квантовых биений

Использование: Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам электронной техники с квантовыми потенциальными ямами и может быть использовано в микроэлектронике, нанотехнологии и оптоэлектронике. Техническим результатом изобретения является увеличение быстродействия и снижение трудоемкости изготовления. Сущность изобретения: тонкопленочный оксидированный нанокристаллический кремний,...

2269182

Фотоактивный элемент

Изобретение относится к области физики полупроводников, в частности к полупроводниковым наноструктурам, и может быть использовано при создании альтернативных источников энергии. Технический результат - создание альтернативных источников энергии с КПД преобразования световой энергии в электрическую, превышающим 31%. Сущность изобретения: фотоактивный элемент содержит два планарных электрода, один...

2384916

Патенты в этой категории