Кристаллическая подложка из alxgayin1-x-yn, полупроводниковый прибор и способ его изготовления
Изобретение относится к полупроводниковым приборам на кристаллической нитридной подложке. Сущность изобретения: кристаллическая подложка из AlxGayIn1-x-yN (0≤х, 0≤у, х+у≤1) (12) имеет главную плоскость (12m) с площадью по меньшей мере 10 см2, в которой упомянутая главная плоскость (12m) имеет внешнюю область (12w), расположенную в пределах 5 мм от внешней периферии упомянутой главной плоскости, и...