H01L29/70 - биполярные приборы — все патенты категории

Устройство согласования

ОП ИСАНИЕ (и) 557488 С Республик (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 16.02.76 (21) 2323162/21 с присоединением заявки № (23) ПриоритетвЂ” (43) С>публиковано05.05.77.Б1оллетень ¹ 17 (45) Дата опубликования описания05,07.77 (51) М. Кл. Н 01 4 29/70 Государственный комитет Совета Министров СССР оо делам изооретеанй и огкрытий (53) УДК 62 1. 382 (088.8) (>") Авт...

557438

Транзисторная ячейка мощного свч-планарного транзистора

1. ТРАНЗИСТОРНАЯ ЯЧЕЙКА МОЩНОГО СВЧ-ПЛАНАРНОГО ТРАНЗИСТОРА, состоящая из эмиттерных областей одного типа проводимости, базовой области другого типа проводимости, коллекторной области, состоящей издвух эпитаксиальных слоев с различ- Hbw удельным сопротивлением того же типа проводимости, что и эмиттерных областей, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения полной устойчивости транзи...

598468

Полупроводниковый прибор

Союз Советских Социалистимеских Республик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К ПАТЕНТУ (61) Дополннтельный к патенту (22) Заявлено18.03.74 (21) 2008790/18-25 (23) Приоритет вЂ” (32) (11) 626713 а к > ф"»» «>>,» «««««« с> > t ° -;:- ", г ( ф (51) Ж "Мй;---Н 01 L» 29/70 Государственный комитет Совета Министров СССР оо делам иэооретений н открытий (31)вЂ” (43) Опубликовано 30.09.78.Бюллете...

626713

Полупроводниковое устройство

t t !! 640686 ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ 1. о!ое Советских Социалистических Республик (61) Дополнительный к патенту (22) Заявлено 18.03.74 (21) 2008682/18-25 (23) Приоритет вЂ” (32) (31) вЂ” (33) (51) М. Кл.- Н OIL 29/70 Гссударстееииый комитет по делам иесбретеиий (43) Опубликовано 30.12.78. В1оллетспь е 48 (53) УДК 621.382 (088.8) и открытий (45) Дата опубликования...

640686

Биполярный свч-транзистор

! Pr О П И-С - А- Н- И- Е

650131

Мощная вч (свч) транзисторная структура

МОЩНАЯ ВЧ(СВЧ) ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА, содержащая полупроводниковый кристалл с изготовленными на нем транзисторными ячейками, снабженными пленочными балластными резисторами, отличающаяс я тем, что, с целью увеличения коэффициента усиления по мощности, повьшения мощности и КПД на высоких частотах, резистор каждой ячейки выполнен клиновидной формы и расположей суженной частью в сто...

656432

Мощный свч-транзистор

Мощный СВЧ-транзистор с гребенчатой конфигурацией эмиттерной области, состоящий из кремниевой подложки с эпитаксиальным слоем, с одной стороны которой выполнен невыпрямляющий контакт к коллектору, а с другой - планарные области эмиттера и базы, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения ее надежности, эмиттерная область выполнена так, что ее длина ориентирована по кр...

683402

Транзистор

ТРАНЗИСТОР с эпитаксиальным коллектором, базой, эпитаксиальной эмиттерной областью с концентрацией легирующей примеси менее концентрации легиру ощей примеси в базе, причем в эмиттерной области расположена высоколегированная область того же типа проводимости и кольцеваяi область противоположного типа проводимости , соприкасающаяся с базовой областью, отличающийся тем, что, сцелью...

736807

Полупроводниковый прибор "дефензор

Полупроводниковый прибор,, содержащий коллектор, в котором расположена по крайней мере одна приконтактная область с повышенной концентрацией легирующей примеси, базой, эпитаксиальным эмиттером с областями повьппенной концентрации легирующей примеси, вокруг которых расположены области противоположного типа проводимости , часть которых .снабжена электродным, выводом, отличающийся т...

865080

Мощный биполярный генераторный свч-транзистор

(19)SU(11)1153767(13)A1(51) МПК 5 H01L29/70(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ГЕНЕРАТОРНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к биполярным мощным генераторным СВЧ-транзисторам. Известен СВЧ генераторный транзистор,...

1153767

Мощная свч-транзисторная структура

Использование: в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: мощная СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, базы и эмиттера и балластный резистор, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эмиттерного проводника, в которой имеются выемки, плотность распредел...

2216069

Мощная свч-транзисторная структура

Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, базы и эмиттера с минимальным расстоянием между центрами фрагментов области эмиттера и балластный резистор, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эм...

2216070

Мощная свч-транзисторная структура

Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, базы и эмиттера с минимальным расстоянием между центрами фрагментов области эмиттера и балластный резистор, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эм...

2216071

Мощный свч-транзистор

Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит N транзисторных структур, каждая из которых включает в себя области коллектора, базы и эмиттера с минимальным расстоянием между центрами фрагментов области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эмиттерного проводника. Хотя бы в одном б...

2216072

Мощный свч-транзистор

Использование: полупроводниковая электроника. Мощный СВЧ-транзистор содержит N транзисторных структур, каждая из которых включает в себя области коллектора, базы и эмиттера с минимальным расстоянием между центрами фрагментов области эмиттера и балластный резистор, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площ...

2216073

Мощный свч-транзистор

Использование: в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: в мощном СВЧ-транзисторе средняя площадь изолированных фрагментов контактных площадок металлизации эмиттерных и базовых областей каждого транзисторного модуля уменьшается по мере увеличения индуктивности его выходной цепи. При этом дополнительным условием является неувеличение суммарной площади изолированных фрагментов...

2227945

Мощный свч-транзистор

Использование: в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: в мощном СВЧ-транзисторе суммарная площадь выемок в контактных площадках металлизации эмиттерных и базовых областей каждого транзисторного модуля, предназначенных для уменьшения паразитной емкости площадок, увеличивается по мере увеличения индуктивности его выходной цепи. Дополнительное условие на соотношение суммарных...

2227946

Мощная полупроводниковая структура

Использование: в полупроводниковой электронике. Техническим результатом изобретения является повышение отношения выходной мощности к площади полупроводниковой структуры с неравномерным распределением протяженности ее активной области в направлении, перпендикулярном продольной оси структуры. Сущность изобретения: изменение общей ширины активной области мощной полупроводниковой структуры ос...

2238604

Высоковольтный полупроводниковый прибор

Изобретение относится к области мощных высоковольтных приборов и может быть использовано для создания элементной базы преобразовательных устройств. Сущность изобретения: высоковольтный полупроводниковый прибор включает кремниевый диффузионный планарный p′-N переход, электрические контакты для подачи потенциалов и охранные кольца, расположенные в области периметра р′-слоя планарного р′-N перехода...

2395869

Мощная полупроводниковая структура

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: мощная полупроводниковая структура содержит ряд окруженных со всех сторон областью первого типа проводимости областей второго типа проводимости в форме вписанных в прямоугольники трапеций с параллельными высотами и монотонным убыванием ширины каждой...

2457576

Мощная полупроводниковая структура

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет увеличить величину полезной мощности на единицу площади полупроводниковой структуры. Сущность изобретения: в мощной полупроводниковой структуре, содержащей ряд окруженных со всех сторон областью первого типа проводимости областей второго типа проводи...

2464669

Светотранзистор

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. В отличие от обычного биполярного транзистора, согласно изобретению, один p-n-переход транзистора сформирован в виде светоизлучающего. Для р-n-р-транзистора излучающим переходом является переход база-эмиттер, а для n-p-n-транзистора - база-коллектор. Если электрон перемещается через переход с потерей энергии, то эта энергия выделяется в...

2487436

Способ изготовления бсит-транзистора с охранными кольцами

Использование: для изготовления БСИТ-транзистора с охранными кольцами. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют формирование в полупроводниковой подложке на эпитаксиальном обедненном слое первый тип проводимости, формирование защитного фоторезистивного слоя, формирование карманов первого типа проводимости, формирование области затвора, формирование охранной области, формирование об...

2524145

H01L29/70 - биполярные приборы

Патенты в этой категории